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原子层沉积的原理 ald原子层沉积 氧化铝

2021-04-26知识1

各位高手们,请问PVD与CVD的区别 PVD:用物理方法(如蒸发、溅射等),使镀膜材料汽化在基体表面,沉积成覆盖层的方法。CVD:用化学方法使气体在基体材料表面发生化学反应并形成覆盖层的方法。区别:化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition,简称CVD)是反应物质在气态条件下发生化学反应,生成固态物质沉积在加热的固态基体表面,进而制得固体材料的工艺技术。它本质上属于原子范畴的气态传质过程。与之相对的是物理气相沉积(Physical Vapor Deposition,简称CVD),指利用物理过程实现物质转移,将原子或分子由源转移到基材表面上的过程。它的作用是可以使某些有特殊性能(强度高、耐磨性、散热性、耐腐性等)的微粒喷涂在性能较低的母体上,使得母体具有更好的性能。

原子层沉积的应用 原子层沉积技术由于其沉积参数的高度可控型(厚度、成份和结构)原子层沉积(Atomic Layer Deposition,ALD),最初称为原子层外延(Atomic Layer Epitaxy,ALE),也称为原子层化学气相沉积(Atomic Layer Chemical Vapor Deposition,ALCVD)。原子层沉积是在一个加热反应器中的衬底上连续引入至少两种气相前驱体物种,化学吸附的过程直至表面饱和时就自动终止,适当的过程温度阻碍了分子在表面的物理吸附。目前可以沉积的材料包括:氧化物,氮化物,氟化物,金属,碳化物,复合结构,硫化物,纳米薄层等。中空纳米管,隧道势垒层,光电电池性能的提高,纳米孔道尺寸的控制,高高宽比纳米图形,微机电系统(MEMS)的反静态阻力涂层和疏水涂层的种子层,纳米晶体,ZnSe涂层,纳米结构,中空纳米碗,存储硅量子点涂层,纳米颗粒的涂层,纳米孔内部的涂层,纳米线的涂层。上述领域并不代表原子层沉积技术的所有可能应用领域,随着科技的发展在不远的将来将会发现其越来越多的应用。根据该技术的反应原理特征,各类不同的材料都可以沉积出来。已经沉积的材料包括金属、氧化物、碳(氮、硫、硅)化物、各类半导体材料和超导材料等。现在原子层沉积系统有国际品牌和自主。

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