为什么在栅极电压相同的情况下不同氧化层厚度的MOS结构所形成的势阱存储电荷的容量不同，为什么氧化层厚度越薄的电荷的存储容量越大 氧化层相当于结电容的介质，根据平板电容容量的公式Cj=εS/d，d是介质的厚度，可以看出结电容容量跟介质厚度成反比，氧化层越薄电容量越大，相同栅极电压存储的电荷Qg=CV也就越多.
电力MOSFET输出特性曲线分为哪三个区？ 电力MOSFET的输出特性分为：（1）截止区（对应于GTR的截止区）；（2）饱和区（对应于GTR的放大区）；（3）非饱和区（对应于GTR的饱和区）。电力MOSFET工作在开关状态，即在。
为什么在栅极电压相同的情况下不同氧化层厚度的MOS结构所形成的势阱存储电荷的容 氧化层相当于结电容的介质，根据平板电容容量的公式Cj=εS/d，d是介质的厚度，可以看出结电容容量跟介质厚度成反比，氧化层越薄电容量越大，相同栅极电压存储的电荷Qg=CV也。
mos与金半接触，为什么要加氧化层？ MOS管的结构基础是MIS结构，这里面的“I”是绝缘体的意思。而且，mos管是栅压控制电流的思路。
什么是电荷层 电荷层是指2113p型与n型半导体接触或5261金属与半导体接触后形成4102“结”的过程中在接触面两侧分别构1653成的正、负电荷空间薄层。空间电荷效应：半导体中的空间电荷及其相应的空间电荷效应是一个重要的基本概念。在半导体材料和器件中往往会遇到有关的问题，特别是在大电流时空间电荷可能起着决定性的作用。
mos管在形成导电沟道时出现的耗尽层和反型层有什么区别？ 以NMOS为例，它是P型衬底，空穴是衬底的多子。NMOS要导通的话，得给栅极加正电压，那么栅极金属层将积累…
ccd工作原理，详细的理论 CCD工作原理 电荷耦合器件的突出特点是以电荷作为信号，而不同于其他大多数器件是以电流或者电压为信号。
几个CCD问题 急！！！ 几个CCD问题 急！问题的具体内容：1、为什么说N型沟道CCD的工作速度高于P型沟道？2、试说明为什么在栅极电压相同的情况下不同的氧化层厚度的MOS结构所形成的势阱存储电荷的。
