几个CCD问题 急！！！ mos氧化层电荷

为什么在栅极电压相同的情况下不同氧化层厚度的MOS结构所形成的势阱存储电荷的容量不同，为什么氧化层厚度越薄的电荷的存储容量越大 氧化层相当于结电容的介质，根据平板电容容量的公式Cj=εSd，d是介质的厚度，可以看出结电容容量跟介质厚度成反比...