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下列叙述正确的是:A碳族元素中只有硅单质有半导体性能 B碳族元素单质的熔点,由碳到铅逐渐升高 锗氢化物

2020-10-03知识6

有机锗氢化物是什么? 有机锗氢化物,如异丁基锗烷((CH3)2CHCH2GeH3)的危险性比较低,因此半导体工业会用液体的氢化物来取代气体的甲锗烷

下列叙述正确的是:A碳族元素中只有硅单质有半导体性能 B碳族元素单质的熔点,由碳到铅逐渐升高 锗氢化物

半导体工业会用液体的氢化物来取代气体的甲锗烷是吗? 机锗氢化物,如异丁基锗烷((CH3)2CHCH2GeH3)的危险性比较低,因此半导体工业会用液体的氢化物来取代气体的甲锗烷。

下列叙述正确的是:A碳族元素中只有硅单质有半导体性能 B碳族元素单质的熔点,由碳到铅逐渐升高 锗氢化物

C.硅的导电性介于金属和绝缘体之间 A、碳是非金属元素,由碳元素组成的石墨有优良的导电性.故A错误;B、锗能形成气体的氢化物,如GeH4.故B错误;C、硅的导电性介于金属和绝缘体之间.故C正确;D、锗是一种金属,非金属性比金属性弱.故D错误.故选C.

下列叙述正确的是:A碳族元素中只有硅单质有半导体性能 B碳族元素单质的熔点,由碳到铅逐渐升高 锗氢化物

氢化物发生-原子荧光光谱法测定锗 方法提要试样用氢氟酸、硝2113酸、硫酸分解后,在(1+9)H3PO4溶液5261中,4102以硼氢化钾为还原剂进行锗的氢化物发生-原子荧1653光光谱法测定。方法适用于水系沉积物、土壤和岩石中锗的测定。方法检出限(3s):0.02μg/g。测定范围:0.06~100μg/g。仪器及材料原子荧光光谱仪。锗单元素高强度空心阴极灯。聚四氟乙烯烧杯(50mL)。试剂硝酸。氢氟酸。硫酸。磷酸。硼氢化钾(或硼氢化钠)溶液称取7gKBH4溶于水中,加入2gNaOH,搅拌溶解完全,用水稀释至1000mL,摇匀。用时现配。锗标准溶液Ⅰρ(Ge)=25.0μg/mL称取0.0360g经600℃灼烧过的二氧化锗置于250mL烧杯中,加水约50mL,加入3颗粒状氢氧化钠,缓慢加热溶解后,冷却,移入1000mL容量瓶中,加入20mLH3PO4,用水稀释至刻度,摇匀。锗标准溶液Ⅱρ(Ge)=1.00μg/mL移取40.00mL锗标准溶液Ⅰ置于1000mL容量瓶中,加入2mLH3PO4,用水稀释至刻度,摇匀。校准曲线于一组100mL容量瓶中,分别移取0.00mL、0.50mL、1.00mL、2.00mL、3.00mL、4.00mL锗标准溶液Ⅱ,加入10mLH3PO4,用水稀释至刻度,摇匀,配制成0.00μg/mL、0.005μg/mL、0.01μg/mL、0.02μg/mL、0.03μg/mL、0.04μg/mL的锗标准系列。按表84.60仪器工作条件,将。

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