有谁能回复一下吗 等离子刻蚀是什么意思？工艺技术是什么？ 等离子刻蚀也叫干法刻蚀，主要是刻断PN结的，就是用高能等离子体和四氟化碳来腐蚀硅片！苏州硅时
四氟化碳瓶可以装氧气吗？谢谢 四氟化碳具有急性毒性，所以四氟化碳瓶不可以装氧气。四氟化碳既可以被视为一种卤代烃、卤代甲烷、全氟化碳，也可以被视为一种无机化合物。零下198°C时。四氟化碳造成温室效应的作用二氧化碳的数千倍。氟代烃的低层大气中比较稳定，而在上层大气中可被能量更大的紫外线分解。扩展资料：四氟化碳用途1、用于各种集成电路的等离子刻蚀工艺，也用做激光气体，用于低温制冷剂、溶剂、润滑剂、绝缘材料、红外检波管的冷却剂。2、四氟化碳可广泛应用于硅、二氧化硅、氮化硅、磷硅玻璃及钨等薄膜材料的蚀刻，在电子器件表面清洗、太阳能电池生产、激光技术、低温制冷、泄漏检验、印刷电路生产中的去污剂等方面也大量使用。3、用作低温制冷剂及集成电路的等离子干法蚀刻技术。参考资料来源：-四氟化碳
四氟化碳 与硅和二氧化硅的反应 越详细越好 CF4-在电浆下->；2F+CF2SiO2+4F->；SiF4+2OSiO2+2CF2->；SiF4+2COCF4经过电浆轰击产生F原子跟CF2原子团F原子跟CF2原子团分别跟SiO2反应生成挥发性的SiF4F原子跟CF2原子团与Si也能发生反应，但这不是我们想看到的，通过适当调整CF4电浆对晶片表面的离子轰击及所生成的高分子（polymer)层，我们能够做到保护Si而只蚀刻SiO2的高选择比的效果如果CF4中加如适当的O2的话CF4+O->；COF2+2F，可见O原子将会消耗很多碳原子，使得F原子的相对比例提高，实际上，在许多半导体工艺中，就是通过这种方式来控制蚀刻速率的然而实验证明，增加O的含量，CF4对Si的蚀刻速率增加的比对SiO2快，这时我们加入适当的H，通过H+F->；HF来减少F的比例实际上，半导体SI及SIO2蚀刻工艺中，最重要的就是控制C/F的比例
