沟道区域会出现夹断区 mos管在饱和区时，其电子沟道已经被夹断了，为什么还有漏电流存在了？

MOS管子工作在恒流区时，导电沟道被夹断，沟道都被夹断了，此时为何还有电流？？ 沟道夹断区实际上就是载流子被耗尽的区域，其中存在有沿着沟道方向的电场，所以只要有载流子到达夹断区边缘，就很容易被扫过夹断区而到达漏极—输出电流。因此不但不起阻挡载流子的作用，而且还将有利于载流子的通过。因此，沟道夹断以后，器件的输出电流饱和，即达到最大。如何区分N沟道增强型MOS管的可变电阻区、夹断区、恒流区 你的夹断区指的截止区吗？从知NMOS管的输出特性曲线可以分：可变电阻区、饱和区（恒道流）、截止区和击穿区当Vgs时，截专止区；Vgs>；Vth，且Vgs-Vth>；Vds时，可变电阻区；Vgs>；Vth，且Vgs-Vth时，饱和区（恒流）；供参考！属谢谢！场效应管在夹断后，为什么还有饱和电流 场效应管在夹断后，还有饱和电流的原因是： 当漏一源之间接上+VDS时，从源一沟道一漏组成的 N型半导体 区域内产生了一个横向的 电位梯度：源区为零电位，漏区为+VIB，而沟道。mos管在饱和区时，其电子沟道已经被夹断了，为什么还有漏电流存在了？ 一直不明白电子沟道是个能使漏电流通过的沟道还是这个沟道的电子也会是漏电流的一部分？书看的不是很明白…N沟道MOSFET为什么会出现楔形沟道并出现预夹断 Vds的不同变化对沟道的影响如图所示。根据此图可以有如下关系VDS=VDG＋VGS=—VGD＋VGSVGD=VGS—VDS当VDS为0或较小时，称为预夹断，相当VGD＞VGS(th)，沟道呈斜线分布。在紧靠漏极处，沟道达到开启的程度以上，漏源之间有电流通过。当VDS 增加到使VGD=VGS(th)时，相当于VDS增加使漏极处沟道缩减到刚刚开启的情况，ID基本趋于不变，此时的漏极电流ID基本饱和。当VDS增加到 VGD(th)时，预夹断区域加长，伸向S极。VDS增加的部分基本降落在随之加长的夹断沟道上2．Vds对沟道导电能力的控制当Vgs＞Vgs(th)，且固定为某一值时，来分析漏源电压Vds对漏极电流ID的影响mos管在饱和区时，其电子沟道已经被夹断了，为什么还有漏电流存在了？ 一、先讲反2113型电子来自哪里：1.漏源5261电压为0。栅电压为正，4102p型衬底空穴被排斥，少子电子被吸引到表面；1653随着栅压增加，少子电子越来越多聚集在衬底表面，形成一层很薄的电子沟道，俗称反型。此时反型电子来自于衬底。2.漏源电压不为0，栅电压不变了。最容易得到电子的地方当然是源端，反型电子来自源端。二、然后讲形成饱和电流的原理：在夹断区出现耗尽层，横向电场大部分落在这个区，电场方向漏端指向源端，该夹断区边缘的反型电子(nmos)，由于扩散，一旦电子进入该区域就会被电场加速扯到漏端，从而形成电流。至于为什么饱和，是因为电子迁移率不再与电场成线性增加的关系了，电子漂移速度达到饱和。三、最后回到问题：反型电子是不是漏极电流的一部分？答案是肯定的。你这相当于把电子分成了两种，一是最初没加漏源电压的反型电子，二是源端提供的电子。由上述分析知道，反型电子在mos工作的时候由源端提供，最初的那部分电子被电场扯走了以后，由源端来补充，这是个连续的过程。N沟道MOS管，反型层被夹断，为什么还可以导电？ N沟道mos管，在漏极和源极两端电压增大时，达到夹断电压，反型层会被夹断，反型层被夹断，电流达到近似平…什么是场效应管的夹断电圧和开启电压？ 根据三极管的原理开发出的新一代放大元件，有3个极性，栅极，漏极，源极，它的特点是栅极的内阻极高，采用二氧化硅材料的可以达到几百兆欧，属于电压控制型器件-1.概念：场。什么叫场效应管的开启电压和夹断电压？ 场效应管的开启电压就是刚刚想成反型层，产生感生沟道时栅极和源极金的电压，夹断电压就是沟道形成之后在源极和漏极之间加电压，那么漏极的Id电流会逐渐加大，沟道会成逐渐。

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