采用热氧化生长法制造的氧化层其生长厚度和时间关系服从什么生长规律？ 硅在空气中会氧来化形成天然的氧自化层的过程称为热氧2113化5261[1]。中文名热氧化硅IC成功的4102一个主要原因是，1653能在硅表面获得性能优良的天然二氧化硅层。该氧化层在MOSFET中被用做栅绝缘层，也可作为器件之间隔离的场氧化层。连接不同器件用的金属互联线可以放置在场氧化层顶部。大多数其他的半导体表面不能形成质量满足器件制造要求的氧化层。硅在空气中会氧化形成大约厚2.5nm的天然氧化层。但是，通常的氧化反应都在高温下进行，因为基本工艺需要氧气穿过已经形成的氧化层到达硅表面，然后发生反应。图1给出了氧化过程的示意图。氧气通过扩散过程穿过直接与氧化层表面相邻的凝滞气体层，然后穿过已有的氧化层到达硅表面，然后在这里与硅反应形成二氧化硅。由于该反应，表面的硅被消耗了一部分。被消耗的硅占最后形成氧化层厚度的44%[1]。
铝在高温下会一直氧化下去吗，还是生成了氧化膜之后，内层金属就不再氧化了 你家里应该2113会有铝制的炊具，铝锅在第一次加5261热时其表面就会生成致密4102的Al2O3（三1653氧化二铝）薄膜使得内层不再继续氧化。也不像三楼所说的2600度下熔化，因为铝的熔化温度只有730度。不知道你所说的高温指的是多少度。如果是在熔融状态下肯定继续氧化。
什么是扩散炉 扩散炉是集成抄电路生产线前工序bai的重要工艺设备之du一，它的主要用途是对半zhi导体进行掺杂，即在高温条件dao下将掺杂材料扩散入硅片，从而改变和控制半导体内杂质的类型、浓度和分布，以便建立起不同的电特性区域。虽然某些工艺可以使用离子注入的方法进行掺杂，但是热扩散仍是最主要、最普遍的掺杂方法。硅的热氧化作用是使硅片表面在高温下与氧化剂发生反应，生长一层二氧化硅膜。氧化方法有干氧氧化和水汽氧化（含氢氧合成）两种，扩散炉是用这两种氧化方法制备氧化层的必备设备。扩散炉是半导体集成电路工艺的基础设备，它与半导体工艺互相依存、互相促进、共同发展。
