热氧化生长氧化层 描述生长氧化层和淀积氧化层以及两者的区别

采用热氧化生长法制造的氧化层其生长厚度和时间关系服从什么生长规律？ 硅在空气中会氧来化形成天然的氧自化层的过程称为热氧2113化5261[1]。中文名热氧化硅IC成功的4102一个主要原因是，1653能在硅表面获得性能优良的天然二氧化硅层。...