IR2110的自举电路是什么作用，不自举可以吗，直接将Vs接地 不行。因为上桥臂的MOS管要饱和导通，必须要在门极与源极间加一个适当的电压。一般约10V左右，才能使MOS管导通时的内阻达到其额定值。此电压高一点其内阻会小一点，但太高则会损坏MOS管。当上桥臂MOS管导通时，其内阻Rds很小，甚至只有1～2mΩ，此时源极的电压基本上等于电源电压，那可能远高于控制驱动回路电压的。造成门极电压不可能高于源极要求的电压，上桥臂MOS管也就不可以很好的导通了。解决的办法是，将上桥臂的驱动电路悬浮起来，Vs接上桥臂MOS管的S极，作为驱动电压的参考点。将自举电路中电容器在下桥臂导通时所充的电压（等于控制回路电压减去一个隔离二极管的正向压降约0.6V的电压）来提供对上桥臂的驱动，使上桥臂MOS管可以很好的饱和导通。不用自举电路是不行的。在要求上桥臂MOS导管通时下桥臂MOS管肯定是截止的，下桥臂MOS管的漏极D（即上桥臂MOS管的源极S）的电压，可能远高于控制回路的电压，若将Vs接地，不仅不能满足上桥臂MOS管导通的要求，甚至损坏上桥臂MOS管与半桥驱动IR2110.
什么是自举电容？ 1，自举电容是利用电容两端电压不能突变的特性，当电容两端保持有一定电压时，提高电容负端电压，正端电压仍保持于负端的原始压差，等于正端的电压被负端举起来了。实际就是正反馈电容，用于抬高供电电压。自举电容就是一个自举电路。2，自举电路也叫升压电路，利用自举升压二极管，自举升压电容等电子元件，使电容放电电压和电源电压叠加，从而使电压升高．有的电路升高的电压能达到数倍电源电压。3，原理举个简单的例子：有一个12V的电路，电路中有一个场效应管需要15V的驱动电压，这个电压怎么弄出来？就是用自举。通常用一个电容和一个二极管，电容存储电荷，二极管防止电流倒灌，频率较高的时候，自举电路的电压就是电路输入的电压加上电容上的电压，起到升压的作用。自举电路只是在实践中定的名称，在理论上没有这个概念。自举电路主要是在甲乙类单电源互补对称电路中使用较为普遍。甲乙类单电源互补对称电路在理论上可以使输出电压Vo达到Vcc的一半，但在实际的测试中，输出电压远达不到Vcc的一半。其中重要的原因就需要一个高于Vcc的电压。所以采用自举电路来升压。常用自举电路（摘自fairchild，使用说明书AN-6076《供高电压栅极驱动器IC 使用的自举电路的。
自举升压电路的原理是这样的？ 自举升压电路的原理：举个简单的例子：有一个12V的电路，电路中有一个场效应管需要15V的驱动电压，这个电压弄出来就是用自举。通常用一个电容和一个二极管，电容存储电荷，二极管防止电流倒灌，频率较高的时候，自举电路的电压就是电路输入的电压加上电容上的电压，起到升压的作用。自举电路只是在实践中定的名称，在理论上没有这个概念。自举电路主要是在甲乙类单电源互补对称电路中使用较为普遍。甲乙类单电源互补对称电路在理论上可以使输出电压Vo达到Vcc的一半，但在实际的测试中，输出电压远达不到Vcc的一半。其中重要的原因就需要一个高于Vcc的电压。所以采用自举电路来升压。扩展资料：充电过程在充电过程中，开关闭合(三极管导通)，等效电路如图二，开关(三极管)处用导线代替。这时，输入电压流过电感。二极管防止电容对地放电。由于输入是直流电，所以电感上的电流以一定的比率线性增加，这个比率跟电感大小有关。随着电感电流增加，电感里储存了一些能量。放电过程：当开关断开(三极管截止)时的等效电路。当开关断开(三极管截止)时，由于电感的电流 保持特性，流经电感的电流不会马上变为0，而是缓慢的由充电完毕时的值变为0。而原来的电路已断开，。
想用单片机的IO控制MOS管做一个开关，控制12V左右电压的导通，导通后，工作电流10A左右，请推荐一款MOS管 由于电流较大，选用低导通内阻是必要的。IRFI1010 Vdss=55V Rds(on)=0.012Ω Id=49A 540是100V10A的管子，一点余量都没有满载工作不可靠，可以选50N06，它是50A60V的。。
请问下MOS高边驱动时一定要加自举电容吗？ 主要看Vgs电压，要是高侧MOS的Vgs电压能满足要求就不需要加自举电路，自举电路只是在单电源供电时，高侧Vgs打不到控制要求而做的，当使用隔离电源控制就不需要自举。
自举电路原理？ 自举电路原理及应用 自举电路的工作原理 图1是一个简单的电路，由欧姆定律可知，电阻R上流过电流为I=Va/R，如果我们在图1这个电路的基础上增加一级射极跟随电路，如图2所示。
什么是自举电路？答；在电子电路中，利用晶体管的单向导电特性，电阻、电容器的充放电性质，将电子放大电路中的电压进行叠加提高的电路，俗称自举电路。（自举电路存在的方式，只是在实践中定的名称，在理论上没有它的名词概念）以下图为例。在上图oTL功率放大器电路中，R（510Ω）、RC1.（650Ω）电阻为自举电阻。C2（100uF）电解电容器为自举电容。自举电路在oTL放大器，提升电压的目的，只是对于负载提供一个自举交流信号通路。工作时，R、C1将自举电压加至V2（3DG12）三极管的基极b。当V1三极管集电集信号为正半周期时，Ⅴ2导通进行信号放大，当输入V2三极管基极b的交流信号比较大时，V2基极信号电压高，此时V2三极管的发射集e电压跟着基极b电压，V2的发射极电压接近于直流工作电压+Ucc，这样就迫使V2集电极与发射极两点的直流电压迅速减小，此时V2最容易进入饱和状态，使三极管的基极b电流控制集电极电流。通俗一点说，三极管集电极C与发射极e之间由于工作电压下降后，基极b上的控制电流增大很多才能够使三极管集电极C的电流有一点增大，显然使正半周放大信号输出受到了阻碍抑制，造成正半周信号波形与幅度失真，造成输出不良，所以必须采用自举电路来加以补偿。由于自举。
求助电路大神，在设计一个Nmos管功率驱动电路来控制48VDC电压的通断，采用IRF3810mos管
什么是自举电路？
