四氟化硅的熔点和四溴化硅的熔点的大小关系
四氟化硅制取硅 可以一步反应，2113用氢气还原即5261可SiF4+2H2=4HF+Si(由于反应物皆4102为气体，则须标注沉淀1653符号)条件是高温，原理内类似于四氯容化硅的还原产物中 氟化氢与单质硅 在该条件下极难反应，可以认为不存在可逆反应但是在反应体系中加入一点HNO3，则会让反应发生逆转
四氟化硅的标准摩尔反应焓 四氟化硅分子中Si原子以sp3杂化轨道形成σ键。分子形状为正四面体形。Si—F 键能 565 kJ/mol，所以四氟化硅的标准摩尔生成焓是4×（-565 kJ/mol。
四氟化硅是不是电介质 四氟化硅（SiF4）无色、有毒、有刺激性臭味的气体。密度4.69g/L，熔点-90.2℃（1.73×105Pa）。四氟化硅在潮湿的空气中因水解而产生烟雾，生成硅酸和氢氟酸。在冷冻下加压可凝成液体。能溶于硝酸和乙醇。四氟化硅比较稳定。能跟氢氟酸作用生成氟硅酸H2SiF6。四氟化硅也易被碱液分解：四氟化硅可由单质硅和氟反应制得。也可用浓硫酸处理石英砂和萤石的混合物或用氢氟酸处理二氧化硅来制备：SiO2+4HF=SiF4↑+2H2O将氟硅酸盐热分解可得纯四氟化硅。四氟化硅之二四氟化硅 化学式SiF4。无色气体，有窒息气味，熔点-90.2℃，沸点-86℃，在潮湿空气中水解生成硅酸和氟化氢，同时形成浓烟。用于制取氟硅酸和化学分析。可用浓硫酸、氟化钙、二氧化硅混合强热制取。它并不是一种盐，而是一种卤化物。
四氟化硅如何变成硅单质 1950 年制出第一只硅晶体管，提高了人 们制备优质硅单晶的兴趣.年用直拉法(CZ)(CZ)培育硅单晶成 们制备优质硅单晶的兴趣.1952 年用直拉法(CZ)培育硅单晶成 年又研究出无坩埚区域熔化法(FZ)(FZ)，功.1953 年又研究出无坩埚区域熔化法(FZ)，既可进行物理提 纯又能拉制单晶.年开始采用锌还原四氯化硅法生产纯硅 采用锌还原四氯化硅法生产纯硅，纯又能拉制单晶.1955 年开始采用锌还原四氯化硅法生产纯硅，但不能满足制造晶体管的要求.但不能满足制造晶体管的要求.1956 年研究成功氢还原三氯氢 硅法.氢还原三氯氢 硅法.对硅中微量杂质又经过一段时间的探索后，对硅中微量杂质又经过一段时间的探索后，硅法成为一种主要的方法.硅法成为一种主要的方法.到 1960 年，用这种方法进行工业生 产已具规模.硅整流器与硅闸流管的问世促使硅材料的生产一跃 产已具规模.而居半导体材料的首位.而居半导体材料的首位.60 年代硅外延生长单晶技术和硅平面 工艺的出现，不但使硅晶体管制造技术趋于成熟，而且促使集成 工艺的出现，不但使硅晶体管制造技术趋于成熟，电路迅速发展.电路迅速发展.80 年代初全世界多晶硅产量已达 2500 吨
四氟化硅属于什么物质？是不是盐？ 四氟化硅（SiF4）无色、有毒、有刺激性臭味的气体。密度4.69g/L，熔点-90.2℃（1.73×105Pa）。四氟化硅在潮湿的空气中因水解而产生烟雾，生成硅酸和氢氟酸。在冷冻下加压。
四氟化硅制取硅 可以一步反应，用氢气还原即可SiF4+2H2=4HF+Si(由于反应物皆为气体，则须标注沉淀符号)条件是高温，原理类似于四氯化硅的还原产物中 氟化氢与单质硅 在该条件下极难反应，可以认为不存在可逆反应但是在反应体系中加入一点HNO3，则会让反应发生逆转
什么是四氟化硅？ 【中文名称】四氟化硅【英文名称】silicontetrafluoride【结构或分子式】【密度】4.67【熔点（℃）】-90.2【沸点（℃）】-86【性状】无色气体，有窒息气味。【溶解情况】溶。
