等芯片一直突破1nm之后，之后的出路在哪，会往更小发展吗？
听说Cree芯片的光效到250多了，请问他是怎么提高出光效率的 材料不一样吧，虽然各家芯片内量子效率高，但是实现，或者说合成光提取的路径不一样
什么是外量子效率 当光子入射到光敏器材的表面时，部分光子会激发光敏材料产生电子空穴对，形成电流，此时产生的电子与所有入射的光子数之比称为 外量子效率(External Quantum Efficiency，EQE）
芯片最小能做到多少纳米，达到极限后，该如何突破瓶颈？ 目前，手机处理器是7nm，台积电即将量产5nm芯片，未来还有3nm、2nm，甚至1nm。根据台积电研发负责人在谈论半导体工艺极限问题时，认为到了2050年，晶体管可以达到氢原子尺度，即0.1nm，那么半导体工艺的“物理极限”是什么呢？制程工艺 首先，我们了解一下芯片的制程工艺。华为的麒麟990处理器，指甲壳大小，集成了上百亿的晶体管，单个晶体管的结构如下图所示▼。在晶体管中，电流是从源极（Source）流向漏极（Drain），而栅极（Gate）相当于闸门，主要负责两端源极和漏极的通断。通代表1，断代表0，这样就实现了计算机世界的0、1运算。栅极的宽度，也称为删长，就是所说的xx nm制程工艺。通常来说，制程工艺越小，晶体管删长越小，电流通过时的损耗越少，表现出来就是手机常见的发热和功耗。同时，单位面积的芯片可以容纳更多的晶体管。因此，晶圆代工厂不断的升级技术，力求将栅极宽度做的越来越窄。然而，工艺的提升会受到光刻机技术、芯片“物理极限”等多方面因素的限制。如何突破技术限制？①更换材料。目前，芯片采用的是硅基半导体结构，根据台积电的规划，今年实现5nm工艺，2022年实现3nm工艺，2024年实现2nm工艺，正在逼近1nm。2017年，IBM科研团队在实验室环境下。
LED封装出光率由芯片决定得多还是由封装决定得多，如果封装做得很好，能把一般封装的光效提高到200多吗
TO-92是什么封装？ LM324N 3字头代表民品 带N圆帽 LM224N 2字头代表工业级 带J陶封 LM124J 1字头代表军品 带N塑封 9、HYNIX 更多资料查看www.hynix.com 封装：DP代表DIP封装 DG代表SOP封装 DT。
led封装的结构类型 自上世纪九十年代以来，LED芯片及材料制作技术的研发取得多项突破，透明衬底梯形结构、纹理表面结构、芯片倒装结构，商品化的超高亮度(1cd以上)红、橙、黄、绿、蓝的LED产品相继问市，如表1所示，2000年开始在低、中光通量的特殊照明中获得应用。LED的上、中游产业受到前所未有的重视，进一步推动下游的封装技术及产业发展，采用不同封装结构形式与尺寸，不同发光颜色的管芯及其双色、或三色组合方式，可生产出多种系列，品种、规格的产品。LED脚式封装采用引线架作各种封装外型的引脚，是最先研发成功投放市场的封装结构，品种数量繁多，技术成熟度较高，封装内结构与反射层仍在不断改进。标准LED被大多数客户认为是目前显示行业中最方便、最经济的解决方案，典型的传统LED安置在能承受0．1W输入功率的包封内，其90%的热量是由负极的引脚架散发至PCB板，再散发到空气中，如何降低工作时pn结的温升是封装与应用必须考虑的。包封材料多采用高温固化环氧树脂，其光性能优良，工艺适应性好，产品可*性高，可做成有色透明或无色透明和有色散射或无色散射的透镜封装，不同的透镜形状构成多种外形及尺寸，例如，圆形按直径分为Φ2mm、Φ3mm、Φ4．4mm、Φ5mm、Φ7mm等数种。
LED光源取代传统光源还需克服哪些技术关键？ ⑴发光效率障碍LED发出的光由于具有单色性，不需外加彩膜（滤光片），而白炽灯加彩膜后其有效发光效率仅为白炽灯原来光效的1/10，所以LED在交通灯、建筑装饰、汽车警灯等。
RGB封装是什么？ RGB封装技术不断精进，随着LED封装元件体积越来越小，显示屏间距也不断缩小，加上驱动IC与后段系统技术的改良，带动显示屏的解析度与色彩表现越来越好。RGB封装尺寸不断。
led灯的发光效率如何获得 解析LED发光效率关键词：发光效率为评测光源效率的指标，用光源发出的光通量(lm)与向光源输入的电力(W)之比表示。单位为lm/W。最近，白色LED 的发光效率超过了100lm/。
