硅有哪些用途 1、硅是电子工业超纯5261硅的原料，超纯半导体单晶硅做的电子器件具有体4102积小、1653重量轻、可靠性好和寿命长等优点。掺有特定微量杂质的硅单晶制成的大功率晶体管、整流器及太阳能电池，比用锗单晶制成的好。2、非晶硅太阳能电池研究进展很快，转换率达到了8%以上。硅钼棒电热元件最高使用温度可达1700℃，具有电阻不易老化和良好的抗氧化性能。3、用硅生产的三氯氢硅，可配制几百种硅树脂润滑剂和防水化合物等。此外，碳化硅可作磨料，高纯氧化硅制作的石英管是高纯金属冶炼及照明灯具的重要材料。4、硅构筑植物的重要元素。硅是植物重要的营养元素，大部分植物体内含有硅。表明，硅在植物干物质中占的比例为0.1-20%。5、硅是品质元素。有改善农产品品质的作用，并有利于贮存和运输。硅能调节作物的光合作用和蒸腾作用，提高光合效率，增强作物的抗旱、抗干热风和抗低温能力。硅肥可增强作物对病虫害的抵抗力，减少病虫危害。作物吸收硅后，在体内形成硅化细胞，使茎叶表层细胞壁加厚，角质层增加，从而提高防虫抗病能力。硅肥可提高作物抗倒伏。由于作物的茎秆直，使抗倒伏能力提高80%左右。硅肥可使作物体内通气性增强。作物体内含硅量增加，使作物导管刚性。
硅片RCA清洗工艺中，氟化氢HF的氢钝化机理 线切割损伤层厚度可达10微米左右。一般采用20%的碱溶液在90℃条件腐蚀0.5～1min以达到去除损伤层的效果，此时的腐蚀速率可达到6～10um/min。初抛时间在达到去除损伤层的基础上尽量减短，以防硅片被腐蚀过薄。对于NaOH浓度高于20%W/V的情况，腐蚀速度主要取决于溶液的温度，而与碱溶液实际浓度关系不大。HF去除硅片表面氧化层：
氧化铝薄膜在硅片上一般呈什么颜色 若实验未开始，在蒸镀的时候，遮上一块硅片，根据探针测试法就可以知道二氧化硅薄膜厚度了。如果已蒸镀，可用氢氟酸和氟化氨溶液将二氧化硅腐蚀，不一定要劈尖状，因为量一下腐蚀彻底的边缘硅片厚度，再与硅片上二氧化硅薄膜完整的区域的厚度，一比较，就可知道薄膜厚度。取一片长有氧化层的硅片，在其表面涂一小点黑胶，将此硅片置于丝网上在酒精灯上加热，使黑胶融化覆盖在硅片的一小区域。然后，将硅片浸入HF腐蚀液中，腐蚀去除黑胶未覆盖区域的二氧化硅层。
硅片表的面氧化物如何去除？ 硅片表面一般是SiO2，可以用HF酸浸泡除去。但是在空气中还是会很快生成一层薄氧化层的。有一个方法是再把硅片用浓硫酸氧化表面，这样的表面氧化层会比较纯，然后再用等离子体轰击除去表面氧化层。
太阳能硅片在清洗的过程中怎样防止氧化？ 一般硅片清洗是氢氟酸泡去氧化层，然后用除过氧的水清洗。太阳能硅片不知道有没有不同。
如何清洗硅片
半导体硅片工艺中有一个是 RCA cleaning 是什么意思？ RCA cleaning 就是采用RCA方法来清洗的意思。RCA是一种典型的、普遍使用的湿式化学清洗法，该清洗法主要包括以下几种清洗液：（1）SPM：H2SO4/H2O2 120～150℃ SPM具有很高的氧化能力，可将金属氧化后溶于清洗液中，并能把有机物氧化生成CO 2和H2O。用SPM清洗硅片可去除硅片表面的重有机沾污和部分金属，但是当有机物沾污特别严重时会使有机物碳化而难以去除。（2）HF(DHF)：HF(DHF)20～25℃ DHF可以去除硅片表面的自然氧化膜，因此，附着在自然氧化膜上的金属将被溶解到清洗液中，同时DHF抑制了氧化膜的形成。因此可以很容易地去除硅片表面的Al，Fe，Zn，Ni等金属，DHF也可以去除附着在自然氧化膜上的金属氢氧化物。用DHF清洗时，在自然氧化膜被腐蚀掉时，硅片表面的硅几乎不被腐蚀。（3）APM(SC-1）：NH4OH/H2O2/H2O 30～80℃ 由于H2O2的作用，硅片表面有一层自然氧化膜(SiO2)，呈亲水性，硅片表面和粒子之间可被清洗液浸透。由于硅片表面的自然氧化层与硅片表面的Si被NH 4OH腐蚀，因此附着在硅片表面的颗粒便落入清洗液中，从而达到去除粒子的目的。在 NH4OH腐蚀硅片表面的同时，H2O 2又在氧化硅片表面形成新的氧化膜。（4）HPM(SC-2)：HCl/H2O2/H2 O 65～85℃ 。
如何清洗硅片 清洗方法（一）RCA清洗：RCA 由Werner Kern 于1965年在N.J.Princeton 的RCA 实验室首创，并由此得名。RCA 清洗是一种典型的湿式化学清洗。RCA 清洗主要用于清除有机表面膜、粒子和金属沾污。1、颗粒的清洗硅片表面的颗粒去除主要用APM(也称为SC1)清洗液(NH4OH+H2O2+H2O)来清洗。在APM 清洗液中，由于H2O2的作用，硅片表面有一层自然氧化膜(SiO2)，呈亲水性，硅片表面和粒子之间可用清洗液浸透，硅片表面的自然氧化膜和硅被NH4OH 腐蚀，硅片表面的粒子便落入清洗液中。粒子的去除率与硅片表面的腐蚀量有关，为去除粒子，必须进行一定量的腐蚀。在清洗液中，由于硅片表面的电位7a686964616fe4b893e5b19e31333335313165为负，与大部分粒子间都存在排斥力，防止了粒子向硅片表面吸附。表2常用的化学清洗溶液名称 组成作用SPMH2SO4∶H2O2∶H2O去除重有机物沾污。但当沾污非常严重时，会使有机物碳化而难以去除DHFHF∶(H2O2)∶H2O腐蚀表面氧化层，去除金属沾污APM(SC1)NH4OH∶H2O2∶H2O 能去除粒子、部分有机物及部分金属。此溶液会增加硅片表面的粗糙度HPM(SC2)HCl∶(H2O2)∶H2O 主要用于去除金属沾污2、表面金属的清洗(1)HPM(SC22)清洗(2)DHF清洗硅片表面的金属沾污有。
硅片在什么情况下会氧化 个人感觉，硅片放在空气中，自然条件下即会缓慢地形成氧化层。时间长了，原本导电性还过得去的硅片就会慢慢地变得绝缘起来.而且硅片表面的氧化层还不太好除去，最好还是放在液体中封存~
