简述晶体硅发电原理？ 太阳电池是利用半导体光生伏特效应的半导体器件。当太阳光照射到由p型和n型两种不同导电类型的同质半导体材料构成的p-n结上时，在一定条件下，光能被半导体吸收后，在导带。
从硅晶体分子结构解释晶体管工作原理 你要知道不同能带就是不同电子轨道。对于硅来说最外层有4个电子，2个在s轨道，2个在p轨道。对应两个能带。本来s能带能容纳2N个电子，刚好填满，p轨道能容纳6N个电子，没有填满。这样就会导电，但是我们发现硅是导电性很弱的，说明发生SP3轨道杂化。形成两个各含有4N个状态的能带。能量较低的我们称之为价带，被电子填充满。能量较高的我们叫导带，是空带。因此电子一旦跃迁到导带，就会变成准自由电子。会受到电场的影响自由运动。在MOS中，我们给栅极加电压，实际上就是把这些跃迁电子不断地通过正电压收集到表面上去，这样硅附近电子被吸引走了，由于浓度梯度，其他地方跃迁到导带的电子补过来，补过来的电子又会被电场拉倒栅极表面。这样就会在栅极积累很多电子，就是我们说的反型。之后源极和漏极本来就是n型掺杂的，跃迁到导带的自由电子很多，因此加电压，电子就会顺利通过源极，栅极，漏极喽！如果栅极不加电压，那么栅极的自由电子超级少，当然就不能导电了。
化学：晶体硅制光电池的原理是什么？ 硅光电池是一种直接把光能转换成电能的半导体器件。它的结构很简单，核心部分是一个大面积的PN 结，把一只透明玻璃外壳的点接触型二极管与一块微安表接成闭合回路，当二极管的管芯(PN结)受到光照时，你就会看到微安表的表针发生偏转，显示出回路里有电流，这个现象称为光生伏特效应。硅光电池的PN结面积要比二极管的PN结大得多，所以受到光照时产生的电动势和电流也大得多。应用光敏传感器的基础是光电效应，即利用光子照射在器件上，使电路中产生电流或使电导特性发生变化的效应。目前半导体光敏传感器在数码摄像、光通信、航天器、太阳能电池等领域得到了广泛应用，在现代科技发展中起到了十分重要的作用。能源-硅光电池串联或并联组成电池组与镍镉电池配合、可作为人造卫星、宇宙飞船、航标灯、无人气象站等设备的电源；也可做电子手表、电子计算器、小型号汽车、游艇等的电源。光电检测器件-用作近红外探测器、光电读出、光电耦合、激光增加准直、电影还音等设备的光感受器。硅光电池优质推荐OTRON品牌。光电控制器件-用作光电开关等光电控制设备的转换器件。类别编辑晶体硅晶体硅光电池有单晶硅与多晶硅两大类，用P型（或n型）硅衬底，通过磷（或硼）扩散。
简述晶体硅发电原理 太阳电池是利用半导体光生伏特效应的半导体器件。当太阳光照射到由p型和n型两种不同导电类型的同质半导体材料构成的p-n结上时，在一定条件下，光能被半导体吸收后，在导带和价带中产生非平衡载流子—电子和空穴。它们分别在p区和n区形成浓度梯度，并向p-n结作扩散运动，到达结区边界时受p-n结势垒区存在的强内建电场作用将空穴推向p区电子推向n区，在势垒区的非平衡载流子亦在内建电场的作用下，各向相反方向运动，离开势垒区，结果使p区电势升高，n区电势降低，p-n结两端形成光生电动势。向左转|向右转晶体硅包括单晶硅和多晶硅，晶体硅的制备方法大致是先用碳还原SiO2成为Si，用HCl反应再提纯获得更高纯度多晶硅，单晶硅的制法通常是先制得多晶硅或无定形硅，然后用直拉法或悬浮区熔法从熔体中生长出棒状单晶硅。
晶体硅太阳能电池结构及原理 最低0.27元开通文库会员，查看完整内容>；原发布者：天冥照符3.结晶硅太阳能电池结构与原理1本章主要内容与学习目标本章介绍典型晶体硅太阳能电池的结构及其原理。通过学习本章，学生应了解以下内容：1.晶硅太阳能电池结构及其原理。2.晶硅太阳能电池高效结构设计及其原理。3.晶体硅高效率硅太阳能电池的发展。23.1结晶硅太阳能电池的种类和结构硅的基本性质原子序数14，相对原子质量28.09，有无定形和晶体两种同素异形体，属于元素周期表上IVA族的类金属元素。14Si晶体硅为钢灰色，密度2.4g／cm3，熔点1420℃，沸点2355℃，晶体硅属于原子晶体，硬而有光泽，有半导体性质。硅3.1结晶硅太阳能电池的种类和结构硅的基本性质常温下，只与强碱、氟化氢、氟气反应①Si+2F2=SiF4②Si+4HF=SiF4↑+2H2↑③Si+2NaOH+H2O=Na2SiO3+2H2↑高温下，较活泼3.1结晶硅太阳能电池的种类和结构晶硅为间接带隙结构温度T=300K，Eg=1.12eV本征载流子浓度：ni1.071010cm3轻掺杂掺杂浓度为1017cm-3中度掺杂掺杂浓度为1017～1019cm-3重掺杂掺杂浓度大e79fa5e98193e58685e5aeb931333433623766于1019cm-33.1.1结晶硅太阳能电池的种类结晶硅太阳能电池可以分为单晶硅太阳能电池和多晶硅太阳能电池单晶硅。
可控硅的工作原理和主要作用 一、可2113控硅的工作原理：1、双向可控硅5261：双向可控硅是一种硅可控整流器件4102，也称作双向晶闸管。1653这种器件在电路中能够实现交流电的无触点控制，以小电流控制大电流，具有无火花、动作快、寿命长、可靠性高以及简化电路结构等优点。2、双向可控硅除了其中一个电极G仍叫做控制极外，另外两个电极通常却不再叫做阳极和阴极，而统称为主电极Tl和T2。它的符号也和普通可控硅不同，是把两个可控硅反接在一起画成的，它的型号，在我国一般用“3CTS”或“KS”表示。3、用“TRIAC”来表示的。双向可控硅的规格、型号、外形以及电极引脚排列依生产厂家不同而有所不同，但其电极引脚多数是按T1、T2、G的顾序从左至右排列(观察时，电极引脚向下，面对标有字符的一面)。市场上最常见的几种塑封外形结构双向可控硅的外形及电极引脚排列就可以工作。二、主要作用：1、普通晶闸管最基本的用途就是可控整流。以最简单的单相半波可控整流电路为例，在正弦交流电压U2的正半周期间，如果VS的控制极没有输入触发脉冲Ug，VS仍然不能导通，只有在U2处于正半周，在控制极外加触发脉冲Ug时，晶闸管被触发导通。2、通过改变控制极上触发脉冲Ug到来的时间，就可以调节负载上输出。
告诉我，可控硅工作原理？？？ 详情查看参考资料链接一种以硅单晶为基本材料的P1N1P2N2四层三端器件，创制于1957年，由于它特性类似于真空闸流管，所以国际上通称为硅晶体闸流管，简称可控硅T。。
可控硅工作原理及参数详解 原发布者：jackielonghu Auuthor：Jackie Loong 可控控硅参数详详解 可控硅全称称“可控硅整整流元件”（Siilicon Controlled Rectifier），简写为SSCR，别名晶体闸流管管。
可控硅工作原理
晶体硅电池的工作原理是什么？ 光线照射到硅原子增加了其外层电子的动能，促使其溢出。其溢出的多少是阳光电池输出电流的函数。硅材料的本质是单位面积输出电压的函数。
