三安光电的氮化镓、砷化镓产业能否成功？
中国的芯片技术现在达到了什么水平？ 硅器件领域还是有些落后，目前芯片水平达到了28nm，已经开始卖钱了，不是实验室水平，12寸晶圆已经批产，光刻机量产的是90nm，2020年批产45nm，其他真空设备应该都已经国产了。在砷化镓和氮化镓器件领域还是挺NB的，核心设备MOCVD（GaN）已经实现国产，GaAs很快就会国产，到时搞死Vico和爱斯强也就分分钟的事，也就是中国在微波，射频，通讯，激光，开关功率器件等领域将不再受制国外，甚至能够实现反制。目前主流半导体器件还是45nm，芯片已经能造而且开始卖钱了，不过核心设备还要等2年（龙芯用的65nm工艺估计很快会实现国产，但遗憾的是这个不是民用的），手机cpu和存储的制成确实最高端，不过在集成电路领域不算最主流，在整个体量中占10%吧，但是利润率估计挺高。其他制成比如百nm的芯片很多，比如照相机的cmos佳能还用500nm制成，索尼也只是到180nm，但也不影响其优秀的成像质量。所以楼主的问题不能看最高端的是什么，而是应该看最卖钱的领域中国是什么水平，不黑不吹才最正确。至于中国半导体行业发展，目前赶上了一个黄金时期，一是国内市场集中爆发，人工智能、云计算、通讯、手机需求持续旺盛，而且国内还是世界上的主要市场，有钱赚自然很多资本愿意进入，很多。
自主研发一款芯片，或者处理器有多难？ 文章结构 导读 一颗芯片是怎么诞生的？一款CPU是如何设计出来的？设计一款CPU到底难在哪里…
在第三代氮化镓芯片时代，中国可以后来者居上吗？
芯片最小能做到多少纳米，达到极限后，该如何突破瓶颈？ 目前，手机处理器是7nm，台积电即将量产5nm芯片，未来还有3nm、2nm，甚至1nm。根据台积电研发负责人在谈论半导体工艺极限问题时，认为到了2050年，晶体管可以达到氢原子尺度，即0.1nm，那么半导体工艺的“物理极限”是什么呢？制程工艺 首先，我们了解一下芯片的制程工艺。华为的麒麟990处理器，指甲壳大小，集成了上百亿的晶体管，单个晶体管的结构如下图所示▼。在晶体管中，电流是从源极（Source）流向漏极（Drain），而栅极（Gate）相当于闸门，主要负责两端源极和漏极的通断。通代表1，断代表0，这样就实现了计算机世界的0、1运算。栅极的宽度，也称为删长，就是所说的xx nm制程工艺。通常来说，制程工艺越小，晶体管删长越小，电流通过时的损耗越少，表现出来就是手机常见的发热和功耗。同时，单位面积的芯片可以容纳更多的晶体管。因此，晶圆代工厂不断的升级技术，力求将栅极宽度做的越来越窄。然而，工艺的提升会受到光刻机技术、芯片“物理极限”等多方面因素的限制。如何突破技术限制？①更换材料。目前，芯片采用的是硅基半导体结构，根据台积电的规划，今年实现5nm工艺，2022年实现3nm工艺，2024年实现2nm工艺，正在逼近1nm。2017年，IBM科研团队在实验室环境下。
相比碳化硅基氮化镓及砷化镓，硅基氮化镓半导体材料前景如何？
砷化镓 跟 砷镓合金是一样的吗？ 氮化镓是把镓丢近氮气里29～50度 温度下反应吗？ 不一样，砷化镓是化合物，而砷镓合金为混合物。氮化镓这样是得不到的
