新工艺带来晶体管性能提升都用在了哪些方面？ 从45纳米到现在的14纳米，晶体管截止频率应该至少提升了3倍吧。但处理器的时钟频率却基本没有大提高。这…
薄膜电容与电解电容有什么区别？ 1、定义不同 薄膜电容：薄膜电容器是以金属箔当电极，将其和聚乙酯，聚丙烯，聚苯乙烯 或聚碳酸酯等塑料薄膜，从两端重叠后，卷绕成圆筒状的构造之电容器。。
半导体制程，经历了哪些重大的发展节点？ 这的信息量有点大，供参考。题主的问题是半导体制造的制程节点，那么也就是指所谓\"XXnm\"的…
氧化层 介电常数 是多少？ 没有单位，这是相对介电常数，后面还应该乘一个介电常数8.85*10^-12
MOSFET的栅极材料详细说明 MOSFET的栅极材料 理论上MOSFET的栅极应该尽可能选择电性良好的导体，多晶硅在经过重掺杂之后的导电性可以用在MOSFET的栅极上，但是并非完美的选择。MOSFET使用多晶硅作为。
电力mosfet导通条件是什么且什么 MOSFET的核心：金属—氧2113化层—半导体电5261容当一个电压施加在4102MOS电容的两端时，半导体的电荷分1653布也会跟着改变。考虑一个p-type的半导体（电洞浓度为NA）形成的MOS电容，当一个正的电压VGB施加在栅极与基极端（如图）时，电洞的浓度会减少，电子的浓度会增加。当VGB够强时，接近栅极端的电子浓度会超过电洞。这个在p-type半导体中，电子浓度（带负电荷）超过电洞（带正电荷）浓度的区域，便是所谓的反转层（inversion layer）。MOS电容的特性决定了MOSFET的操作特性，但是一个完整的MOSFET结构还需要一个提供多数载子（majority carrier）的源极以及接受这些多数载子的漏极。MOSFET的结构如前所述，MOSFET的核心是位于中央的MOS电容，而左右两侧则是它的源极与漏极。源极与漏极的特性必须同为n-type（即NMOS）或是同为p-type（即PMOS）。左图NMOS的源极与漏极上标示的“N+”代表着两个意义：(1)N代表掺杂（doped）在源极与漏极区域的杂质极性为N；（2）“+”代表这个区域为高掺杂浓度区域（heavily doped region），也就是此区的电子浓度远高于其他区域。在源极与漏极之间被一个极性相反的区域隔开，也就是所谓的基极（或称基体）区域。如果是NMOS，。
晶体管速度是否已经达到极限？ 处理器频率没有上涨的另一个主要原因很简单，就是晶体管本身并没有变得更快。为什么CPU时钟频率在过去5年…
电容104是多大？ 电容2113104是0.1uF大小的电容，也就是100000pF大小的电容。计5261算方法是10乘以10的4次方4102的100000，单位是pF。这种方法为数学1653计数法。电容容值单位转换：1法拉(F)=1000毫法(mF)；1毫法(mF)=1000微法(μF)；1微法(μF)=1000纳法（nF）；1纳法（nF）=1000皮法(pF)；即：1F=1000000μF；1μF=1000000pF。扩展资料电容容量标示的方法：直标法是用数字和单位符号直接标出。如1uF表示1微法，有些电容用“R”表示小数点，如R56表示0.56微法。数学计数法是用三位数字标示，第一位和第二位数字为有效数字，第三位数字为倍数。文字符号法是用数字和文字符号有规律的组合来表示容量。如p10表示0.1pF、1p0表示1pF、6P8表示6.8pF、2u2表示2.2uF。色标法是用色环或色点表示电容器的主要参数，电容器的色标法与电阻相同。参考资料来源：-电容器
电力MOSFET输出特性曲线分为哪三个区？ 电力MOSFET的输出特性分为：（1）截止区（对应于GTR的截止区）；（2）饱和区（对应于GTR的放大区）；（3）非饱和区（对应于GTR的饱和区）。电力MOSFET工作在开关状态，即在截止区和非饱和区之间来回转换。电力MOSFET漏源极之间有寄生二极管，漏源极间加反向电压时器件导通。电力MOSFET的通态电阻具有正温度系数，对器件并联时的均流有利。扩展资料MOSFET的核心是金属—氧化层—半导体电容。氧化层的材料多半是二氧化硅，其下是作为基极的硅，而其上则是作为栅极的多晶硅，这样的结构正好等于一个电容器。氧化层扮演电容器中介电质的角色，而电容值由氧化层的厚度与二氧化硅的介电常数来决定。栅极多晶硅与基极的硅则成为MOS电容的两个端点。当一个电压施加在MOS电容的两端时，半导体的电荷分布也会跟着改变。考虑一个P型的半导体（空穴浓度为NA）形成的MOS电容，当一个正的电压VGB施加在栅极与基极端时，空穴的浓度会减少，电子的浓度会增加。当VGB够强时，接近栅极端的电子浓度会超过空穴。这个在P型半导体中，电子浓度（带负电荷）超过空穴（带正电荷）浓度的区域，便是所谓的反转层。MOS电容的特性决定了MOSFET的操作特性，但是一个完整的MOSFET结构还需要一个。
求电容公式 求电容C的定义式、和与Q和U的关系式 一个电容器，如果带1库的电量时两级间的电势差是1伏，这个电容器的电容就是1法，即：C=Q/U 但电容的大小不是由Q或U决定的，。
