什么叫双极型晶体管的输出特性曲线 输出特性就是输出端的电压与电流的关系，不管是电子管，双极型晶体管，场效应管都是这个概念。这些特性以曲线方式表示，画到图上就是所谓输出特性曲线。。
双极型晶体管及其基本放大电路要点总结 双极型三极管及其放大电路技术总结.ppt文档名称：双极型三极管及其放大电路技术总结.ppt格式：ppt 大小：10.07MB 总页数：155 展开↓更多功能 免费预览本文档（全文）下载敬告：本站不保证该用户上传的文档完整性，不预览、不比对内容而直接下载产生的反悔.展开↓文档介绍：模拟电子技术基础 单极放大器的低频响应 1）当信号频率进入低频区时，画出放大电路的低频等效e799bee5baa6e78988e69d8331333431343739电路；2）将输入输出电路等效成RC高通电路的形式；3）求出低频电路的AVL表达式；4）求出下限频率fL。其分析思路如下：模拟电子技术基础 1）低频等效电路及其简化 b c e 模拟电子技术基础 1）低频等效电路及其简化 b c e Re很大，开路忽略 Rb很大，开路忽略 此电路直接分析很烦琐，在工程上作合理的简化是必须的 由于 若低频工作频率为 当 则容抗 简化电路 模拟电子技术基础 简化电路 将Ce折算到基极回路，保持在压降不变，电流由Ie→Ib；则应将容抗扩大（1+b）倍；即电容减小（1+b）倍 将Ce折算到输出回路，保持在压降不变，电流由Ie→Ic，基本不变，容抗不变；即电容不变 低频等效电路及其简化 b c b c 模拟电子技术基础 输出回路忽略Ce。电路。
双极晶体管的工作原理 NPN型双极性晶体管可以视为共用阳极的两个二极管接合在一起。在双极性晶体管的正常工作状态下，基极-发射极结（称这个PN结为“发射结”）处于正向偏置状态，而基极-集电极（称这个PN结为“集电结”）则处于反向偏置状态。在没有外加电压时，发射结N区的电子（这一区域的多数载流子）浓度大于P区的电子浓度，部分电子将扩散到P区。同理，P区的部分空穴也将扩散到N区。这样，发射结上将形成一个空间电荷区（也成为耗尽层），产生一个内在的电场，其方向由N区指向P区，这个电场将阻碍上述扩散过程的进一步发生，从而达成动态平衡。这时，如果把一个正向电压施加在发射结上，上述载流子扩散运动和耗尽层中内在电场之间的动态平衡将被打破，这样会使热激发电子注入基极区域。在NPN型晶体管里，基区为P型掺杂，这里空穴为多数掺杂物质，因此在这区域电子被称为“少数载流子”。扩展资料双极型三极管不能直接代替MOS管，这是因为它们的控制特性不一MOS管是电压控制的器件，而双极性三极管是电流控制的器件。场效应管的控制电路是电压型的，双极性三极管不能直接代换场效应管的，原驱动MOS管的电路由于驱动电流太小，不e5a48de588b6e799bee5baa6e79fa5e9819331333431366331。
绝缘栅双极晶体管的IGBT的发展前景 2010年，中国科学院微电子研究所成功研制国内首款可产业化IGBT芯片，由中国科学院微电子研究所设计研发的15-43A/1200V IGBT系列产品（采用Planar NPT器件结构）在华润微电子工艺平台上流片成功，各项参数均达到设计要求，部分性能优于国外同类产品。这是我国国内首款自主研制可产业化的IGBT（绝缘栅双极晶体管）产品，标志着我国全国产化IGBT芯片产业化进程取得了重大突破，拥有了第一条专业的完整通过客户产品设计验证的IGBT工艺线。该科研成果主要面向家用电器应用领域，联合江苏矽莱克电子科技有限公司进行市场推广，目前正由国内著名的家电企业用户试用，微电子所和华润微电子将联合进一步推动国产自主IGBT产品的大批量生产
