IR2110自举电容的选择 自举电容的选择与工作频率、驱动的MOSFET参数、工作电压等因素有关。有关自举电容的设计可参考：http：//download.dianyuan.com/dianyuan.com/bbs/68/2780931217926434.pdf
关于自举电容的选择，音响的自举电容，应该选择什么样子的比较好，是否耐压越高越好，怎么判断，容量的选择 最好是进口的，电压要高于电源的电压，容量高好就是成本高。
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电容自举作用是什么？ 1，自举电容是利用电容两端电压不能突变的特性，当电容两端保持有一定电压时，提高电容负端电压，正端电压仍保持于负端的原始压差，等于正端的电压被负端举起来了。实际就是正反馈电容，用于抬高供电电压。自举电容就是一个自举电路。2，自举电路也叫升压电路，利用自举升压二极管，自举升压电容等电子元件，使电容放电电压和电源电压叠加，从而使电压升高．有的电路升高的电压能达到数倍电源电压。应用实例1.利用自举电路提高射极跟随器的输入电阻。射随器具有输入阻抗高、输出阻抗低的特点，所以在电子线路中的应用是极为广泛的。图3是一典型射极跟随器电路，由于基极采用的是固定偏置电路，所以无法保证工点的稳定。2.利用自举电路扩大电路动态范围。利用自举电路可以扩大放大器的输出动态范围。3.利用自举电路提高电路益增。4.利用自举电路解决交、直流参数设置。
什么是自举电路，作用及应用？自举电容、自举二极管？ 1、通俗讲，你站在凳子上，增加身高的作用，就叫自举作用；1、在电路里，一点的电位，与参考点有关系，可是两点的电位差即电压与参考点没关系；2、当电压U一定时，如果设法让这个电压U的低电位端电位升高U1，那么这个电压U的高电位端电位也随之升高UI；3、这时电压U的高电位端对参考点的电位即电压就是U+UI，而且这个升高过程，就是电压U有关电路自己完成的，我们叫它自举电路；对于电压U，它的自举电路，一般与之串联，可以是电容，也可以是电阻，常以二极管作为导流配合作用实现自举！1、例如自举电容，一般是充电电压升高U1，使与之串联的某电路电压升高U1！2、自举电容，主要应用电容的特性-电压不能突变，总有一个充电放电的过程而产生电压自举、电位自举作用的。3、自举二极管的作用，是利用其单向导电性完成电位叠加自举，二极管导通时，电容充电到U1，二极管截止时，电路通过电容放电时U1 与电路串联叠加自举！4，自举电路通常用在高压驱动的场合中，通常用一个电容和一个二极管，电容存储电压，二极管防止电流倒灌，频率较高的时候，自举电路的电压就是电路输入的电压加上电容上的电压，起到升压的作用 自举电路也叫升压电路，利用自举升压二极管，自举升压。
自举电容的选择、有计算公式更好、谢谢大家了 首先要知道最低工作频率。根据最低频率计算出最长周期。然后确认自举电容的充放电回路。根据自举电容的充放电回路计算充放电等效电阻最长周期除以充放电等效电阻，得出的。
您能给我讲讲ir2110的自举电容是怎么选择的吗？ 看过您在百度里给的链接，现在已经不能用了，谢谢 自举电容的设计IGBT和PM(POWER MOSFET)具有相似的门极特性，它们在开通时都需要在极短的时间内向门极提供足够的栅电荷。假定在器件开通后，自举电容两端的电压比器件充分导通所需要的电压(10 V，高压侧锁定电压为8.7／8.3 V)要高，而且在自举电容充电路径上有1.5 V的压降(包括VD1的正向压降)，同时假定有1／2的栅电压(栅极门槛电压VTH通常3～5 V)因泄漏电流引起电压降。那么，此时对应的自举电容可用下式表示：例如IRF2807充分导通时所需要的栅电荷Qg为160 nC(可由IRF2807电特性表查得)，Vcc为15V，那么有：这样C1约为0.1 μF，设计中即可选取C1为0.22μF或更大，且耐压大于35 V的独石电容。
