半导体物理专业翻译（中——>英） When the thickness of oxide layer comes to microns，because of the quantum tunneling effect，current forms in gate oxide，current flows from the gate and source out.
集成电路尺寸越来越小，栅氧化层为什么越来越薄？ 我是这样理解的，不知道对不对，尺寸越小，功耗越低，对应电压电流越小，如果栅氧化层像大工艺的一样厚，…
为什么说栅氧化层的生长是非常重要的一道工序同栅氧化层厚度下极小值处干涉方法(—)和精确解(○)的比较篇名：用干涉方法研究超薄栅MOS系统中FN振荡电流说明：值.从图7(a)，
为什么栅氧化层比较薄 氧化层相当于结电容的介质，根据平板电容容量的公式Cj=εS/d，d是介质的厚度，可以看出结电容容量跟介质厚度成反比，氧化层越薄电容量越大，相同栅极电压存储的电荷Qg=CV也就越多。
氧化层的厚度是怎样影响等效电容的 氧化层相当于绝缘2113介质，一般C=K*Area/d。可表示介电5261常数，4102Area表示上下极板1653重叠面积，d表示上下极板距离。k由绝缘物质决定，d可以看作氧化层厚度，氧化层越厚，电容越小。氧化层越厚，上下极板耐压越大，所以要折中考虑容值和耐压，来决定使用什么的厚度。
IGBT是场效应管吗？ IGBT属于场效应管的一种，因为首先场效应管的定义就是通过输入门极的电场效应来控制输出电流的器件，简称压控器件。IGBT和MOS管一样，都是通过门极电压来控制开启和关断的，它的门极也是一个栅氧化层，所以IGBT也是场效应管的一种，不同的是它又集成了三极管的特性，通过电导调制效应可以把导通压降降下来。
n沟道耗尽型MOSFET在栅氧化层中通常会掺入什么物质，从而形成导电沟道？p沟道的呢？另外，具体是掺在栅氧化层的什么位置呢？
如果在1000进行氧化，假设没有初始氧化层，则完成1000栅氧化层需要多少时间 流3569
半导体公式 最低0.27元开通文库会员，查看完整内容>；原发布者：虾米梦_第1章：第二章：第3章：共基极直流电流放大系数为集电极电流与发射极电流之比基极运输系数发射结注入效率发射结复合系数，均匀：为共发射极直流电流放大系数为基区渡越时间，为基区少数载流子的寿命，为中性基区宽度，分别为发射区和基区杂质浓度。和分别为发射区和基区的电阻率，和分别为发射区和基区的方块电阻为基区少数载流子浓度缓变：基区自建电场为梯度因子第4章：结型场效应晶体管：夹断电压：，夹断时所需要加的栅源电压Vp=Vbi-VP0。Vbi为结的接触电势差。Vbi=沟道电导：G0=2qμn（a-x0）Z/L即：VDS=VDsat称为饱和漏源电压VDsat=VP0-（Vbi-VGS）绝缘栅场效应晶体管MOS结构：零偏导条件下：φms=φm-φs=φm-（X-Eg/2q+φf）=0φm为金属功函数φs为半导体功函数X为半导体的电子亲和势费米势φf=（Es-EFs）/qP型φf>；0；N型φf电荷面密度Qs=εε0Es耗尽区宽度达到最大值氧化层压降Vox=-Qs/CoxCox=εox/toxεox=εrε0Cox为氧化层单位面积电容εox为栅氧化层介电常量tox为氧化层厚度强反型时的表面势力φsi2=2φfp1.理想MOSFET的阈值电压：n沟道阈值电压Qd=-qNAXdmax2.金属半导体功函数差对VT的影响3.氧化层及界面。
