氧化层的厚度是怎样影响等效电容的 氧化层相当于绝缘2113介质，一般C=K*Area/d。可表示介电5261常数，4102Area表示上下极板1653重叠面积，d表示上下极板距离。k由绝缘物质决定，d可以看作氧化层厚度，氧化层越厚，电容越小。氧化层越厚，上下极板耐压越大，所以要折中考虑容值和耐压，来决定使用什么的厚度。
在mos管的源极和栅极之间并一个电阻，是为保护MOS的寄生电感，在电源瞬间上电时候？该如何理解呢 源极与栅极之间电阻很大，他们之间会有一定的电容量（二极管也有叫PN节电容，所以高频信号时要考虑到PN节电容），并上电阻之后，当信号由大电压变小时他们之间通过电阻放电，当信号电压由小到大变时就不会与极间电容的电压叠加（因为极间电容的电已经通过电阻放掉了），信号电压就不足于击穿，起到保护作用
求问MOS管中电子在N沟道中的迁移率 MOS管饱和区电流公式是Ids=0.5*u*Cox*W/L*(Vgs-Vth)^2，算的时候注意单位统一，需要指出的是，你那单位面积的电容算错了，单位面积电容公式是Cox=ε(Sio2)/tox，其中ε(Sio2)的是10^-10F/m数量级，氧化层厚度算20nm的话，那.
CCD电荷注入方式 CCD（Charged Coupled Device，电荷耦合器件）是由一系列排得很紧密的MOS电容器组成。它的突出特点是以电荷作为信号，实现电荷的存储和电荷的转移。因此，CCD工作过程的主要问题是信号电荷的产生、存储、传输和检测。以下将分别从这几个方面讨论CCD器件的基本工作原理。1.1 MOS电容器CCD是一种固态检测器，由多个光敏像元组成，其中每一个光敏像元就是一个MOS（金属—氧化物—半导体）电容器。但工作原理与MOS晶体管不同。CCD中的MOS电容器的形成方法是这样的：在P型或N型单晶硅的衬底上用氧化的办法生成一层厚度约为100～150nm的SiO2绝缘层，再在SiO2表面按一定层次蒸镀一金属电极或多晶硅电极，在衬底和电极间加上一个偏置电压（栅极电压），即形成了一个MOS电容器CCD一般是以P型硅为衬底，在这种P型硅衬底中，多数载流子是空穴，少数载流子是电子。在电极施加栅极电压VG之前，空穴的分布是均匀的，当电极相对于衬底施加正栅压VG时，在电极下的空穴被排斥，产生耗尽层，当栅压继续增加，耗尽层将进一步向半导体内延伸，这一耗尽层对于带负电荷的电子而言是一个势能特别低的区域，因此也叫做“势阱”。在耗尽状态时，耗尽区电子和空穴浓度与受主浓度相比是可以。
