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![深圳大学首次获得吴文俊人工智能科学技术奖]()
深圳大学首次获得吴文俊人工智能科学技术奖
近日，中国人工智能学会发布2020年度第十届吴文俊人工智能科学技术奖获奖名单。深圳大学作为主要单位完成的项目“面向下一代信息处理的智能光电子元器件与芯片”成果获得吴文俊人工智能专项奖芯片项目三等奖。这是深圳大学首次获得该奖项。经全国各地方人...
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![和SiC相比，GaN都有什么优势？]()
和SiC相比，GaN都有什么优势？
从广泛的工业和消费电子产品到快速发展的电动汽车行业，无数的应用市场都在推动着对高效电源转换解决方案的巨大需求。为了满足相关电力系统的高质量，高性能要求，并且继续实现电力转换技术的重大革新，目前产业界正在引入硅基氮化镓（GaN-on-Si，以...
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![打破单级热电器件转换效率与功率密度记录，研究人员在热电器件研究中取得进展]()
打破单级热电器件转换效率与功率密度记录，研究人员在热电器件研究中取得进展
集微网消息，长期以来，热电器件的研究聚焦在如器件能量转换效率的最大化，而功率密度一直被忽略。开发同时具有高转换效率和高功率密度，即：“双高”热电发电器件，已成为推进热电发电技术实用化的关键。最近，中国科学院上海硅酸盐研究所陈立东研究员、柏胜...
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![【泰克电源设计与测试】致工程师系列之五： 优化宽禁带材料器件的半桥和门驱动器设计]()
【泰克电源设计与测试】致工程师系列之五： 优化宽禁带材料器件的半桥和门驱动器设计
现代宽禁带功率器件(SiC, GaN)上的开关晶体管速度越来越快，使得测量和表征成为相当大的挑战，在某些情况下几乎不可能实现。隔离探测技术的出现改变了这种局面，通过这一技术，设计人员终于能够放心地测量以前回避的半桥和门驱动器波形。通过详细了...
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![CMOS静电和过压问题]()
CMOS静电和过压问题
对于模拟 CMOS（互补对称金属氧化物半导体）而言，两大主要危害是静电和过压（信号电压超过电源电压）。了解这两大危害，用户便可以有效应对。静电由静电荷积累（V=qC=1kVnCpF）而形成的静电电压带来的危害可能击穿栅极与衬底之间起绝缘作用...
