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![晶体管具有放大作用，其外部条件和内部条件各为什么 晶体管放大的外部条件是发射结]()
晶体管具有放大作用，其外部条件和内部条件各为什么 晶体管放大的外部条件是发射结
晶体管具有放大作用，其外部条件和内部条件各为什么 三极管能够放大信2113号必须具备一定的外部5261条件，即给三极管的发射结加正向电4102压（习惯称正1653向偏置或正偏），集电结加反向电压（习惯称反向偏置或反偏）。三极管的主要应用分为...
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![怎样利用霍尔效应确定载流子电荷的正负 霍尔效应正负电子偏转]()
怎样利用霍尔效应确定载流子电荷的正负 霍尔效应正负电子偏转
霍尔效应里判断正负载流子问题 这样理解也可以，但是P型半导体空穴为多数载流子，电子为少数载流子，与N型相反。那么电子的移动在一个方向上，N型的大于P型的，在这个方向上N型电子多故电场方向为相反。霍尔效应中为什么电子聚集的一侧为正极 电子定向...
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![怎样判断载流子类型 霍尔元件电流正负电子]()
怎样判断载流子类型 霍尔元件电流正负电子
将电流通过霍尔元件时、电流中的正负离子是怎样流的(方向)？ 洛伦兹力使电荷向导体两侧偏转，而产生电势差，同时会受到电场力，当EQ=BQV时，电子就不再偏转，电势差就不再增强。霍尔元件一般里面载流体是正离子和负离子，由于一极阴。霍尔效应判断正...
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![栅氧化层 作用]()
栅氧化层 作用
mosfet夹断理解误区到底怎么解释？ 关于mosfet源漏电压增大使得反型层夹断的原理解释在电科微电子器件一书的解释是源漏电压的增大使得Vds增…二氧化硅有许多用途，为什么选用它来做氧化栅层 为什么栅氧化层比较薄 氧化层相当于结电容的介质...
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![半导体材料的特性参数 半导体主要性能参数]()
半导体材料的特性参数 半导体主要性能参数
半导体材料的特性参数和要求有哪些？ 什么是半导体参数分析仪，或者叫半导体器件分析仪？ 半导体参数分析仪（2113器件分析仪）5261是一种集多种测量和分析功4102能于一体的测试仪器，可准确执行电流1653-电压（IV）和电容测量（CV（电...
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![光电三极管的基本特性 光生载流子渡越时间]()
光电三极管的基本特性 光生载流子渡越时间
霍尔效应的载流子浓度电导率和迁移率计算详细过程。。。 载流子迁移率的测量方法 迁移率是衡量半导体导电性能的重要参数，它决定半导体材料的电导率，影响器件的工作速度。已有很多文章对载流子迁移率的重要性进行研究，但对其测量方法却少有提到。本文对载...
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![电子的迁移率随温度的变化曲线 固体物理重点概念]()
电子的迁移率随温度的变化曲线 固体物理重点概念
固体物理重点概念 体缺陷：孔洞，聚集，微裂纹②在Fe中掺杂C，使C聚集在晶界，提高Fe的韧性；在Si中掺杂微量P，B等元素能使Si成为半导体，电导率得到大幅度提高；在白宝石Al2O3晶体中掺杂Cr替代Al，可。常用温度计的使用方法 常用温度...
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![载流子迁移率的单位是什么 单电子器件 迁移率]()
载流子迁移率的单位是什么 单电子器件 迁移率
半导体器件课后作业的两道题，貌似给出的选项是矛盾的. 霍尔元件为什么采用半导体材料制造？1、半导体迁移率很高，电阻率适中，是制造霍尔元件的较理想材料。金属的迁移率和电阻率均很低，而不良导体电阻率虽高，但迁移率极小。。1．列出计算霍尔系数 、...
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![空调的负离子功能是什么意思？ 电子迁移率正负值]()
空调的负离子功能是什么意思？ 电子迁移率正负值
从能带角度解释为什么电子的有效质量绝对值小于空穴，而迁移率高于空穴。 有效质量的来源是我们将带底附近的载流子能量做了简谐近似。也就百是我们把载流子的能量对波矢k做级数展开，并保留到第二项。由于第一项是E对k的斜率为0；而在带底这个第二项，包...
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![三极管的三根脚 怎么分辨正负极，从正面看，它们都怎么叫法啊 双极晶体管剖面图pnp]()
三极管的三根脚 怎么分辨正负极，从正面看，它们都怎么叫法啊 双极晶体管剖面图pnp
NPN和PNP型晶体管的区别 NPN和PNP主要就是电流方2113向和电压正负不同，说得“专5261业”一点，就是“极性”问题。NPN 是用4102 B→E 的电流（IB）控制1653 C→E 的电流（IC），E极电位最低，且正常放大时通常...
