mosfet夹断理解误区到底怎么解释？ 关于mosfet源漏电压增大使得反型层夹断的原理解释在电科微电子器件一书的解释是源漏电压的增大使得Vds增…
二氧化硅有许多用途，为什么选用它来做氧化栅层
为什么栅氧化层比较薄 氧化层相当于结电容的介质，根据平板电容容量的公式Cj=εS/d，d是介质的厚度，可以看出结电容容量跟介质厚度成反比，氧化层越薄电容量越大，相同栅极电压存储的电荷Qg=CV也就越多。
如果在1000进行氧化，假设没有初始氧化层，则完成1000栅氧化层需要多少时间
为什么说栅氧化层的生长是非常重要的一道工序同栅氧化层厚度下极小值处干涉方法(—)和精确解(○)的比较篇名：用干涉方法研究超薄栅MOS系统中FN振荡电流说明：值.从图7(a)，
热载流子效应的介绍 热载流子就是具有高能量的载流子，即其动能高于平均热运动能量（～kT）的载流子；因此其运动速度也一定很高。热载流子诱生的MOS器件退化是由于高能量的电子和空穴注入栅氧化层引起的，注入的过程中会产生界面态和氧化层陷落电荷，造成氧化层的损伤。随着损伤程度的增加，器件的电流电压特性就会发生改变。当器件参数改变超过一定限度后，器件就会失效，器件损伤的程度和机理取决于器件的工作条件。当载流子从外界获得了很大能量时，即可成为热载流子。例如在强电场作用下，载流子沿着电场方向不断漂移，不断加速，即可获得很大的动能，从而可成为热载流子。对于半导体器件，当器件的特征尺寸很小时，即使在不很高的电压下，也可产生很强的电场，从而易于导致出现热载流子。因此，在小尺寸器件以及大规模集成电路中，容易出现热载流子。由于热载流子所造成的一些影响，就称为热载流子效应。
