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如果在1000进行氧化,假设没有初始氧化层,则完成1000栅氧化层需要多少时间 栅氧化层作用
采用热氧化生长法制造的氧化层其生长厚度和时间关系服从什么生长规律? 硅在空气中会氧来化形成天然的氧自化层的过程称为热氧2113化5261[1]。中文名热氧化硅IC成功的4102一个主要原因是,1653能在硅表面获得性能优良的天然二氧化硅层。...
采用热氧化生长法制造的氧化层其生长厚度和时间关系服从什么生长规律? 硅在空气中会氧来化形成天然的氧自化层的过程称为热氧2113化5261[1]。中文名热氧化硅IC成功的4102一个主要原因是,1653能在硅表面获得性能优良的天然二氧化硅层。...