采用热氧化生长法制造的氧化层其生长厚度和时间关系服从什么生长规律？ 硅在空气中会氧来化形成天然的氧自化层的过程称为热氧2113化5261[1]。中文名热氧化硅IC成功的4102一个主要原因是，1653能在硅表面获得性能优良的天然二氧化硅层。该氧化层在MOSFET中被用做栅绝缘层，也可作为器件之间隔离的场氧化层。连接不同器件用的金属互联线可以放置在场氧化层顶部。大多数其他的半导体表面不能形成质量满足器件制造要求的氧化层。硅在空气中会氧化形成大约厚2.5nm的天然氧化层。但是，通常的氧化反应都在高温下进行，因为基本工艺需要氧气穿过已经形成的氧化层到达硅表面，然后发生反应。图1给出了氧化过程的示意图。氧气通过扩散过程穿过直接与氧化层表面相邻的凝滞气体层，然后穿过已有的氧化层到达硅表面，然后在这里与硅反应形成二氧化硅。由于该反应，表面的硅被消耗了一部分。被消耗的硅占最后形成氧化层厚度的44%[1]。
集成电路尺寸越来越小，栅氧化层为什么越来越薄？ 我是这样理解的，不知道对不对，尺寸越小，功耗越低，对应电压电流越小，如果栅氧化层像大工艺的一样厚，…
nmos，pmos传输门为什么会损失阈值电压 我来说明2113nmos传输高电平时的阈值损失已知截止条件5261：VGS，线性条件：VDS，饱和条件VDS＞VGS－VTH。先画1653电路图，漏端接Vin输入，源端接Vout输出并联一个电容，衬底b接地，栅端接VDD。得VGS=VDD，VDS=VDD推出VDS＞VGS－VTH，NMOS管工作在饱和区，对负载电容充电，输出电压上升，源漏电压下降，当Vout=VDD－VTH时，即VGS=VDD－Vout=VTH。沟道在源处夹断nmos截止。所以nmos传输高电平有阈值损失。(漏端想传递源端的电压，但在漏端电压Vd=VDD－VTH时nmos管截止，电压不会再升高，所以存在阈值损失。
