n型氧化物半导体 p型半导体氧化物有哪些

N型半导体的形成原理 掺杂和缺陷均可造成导带中电子浓度的增高.对于锗、硅类半导体材料，掺杂Ⅴ族元素(磷、砷、锑等)，当杂质原子以替位方式取代晶格中的锗、硅原子时，可提供除满足共价键配位以外的一个多余电子，这就形成了半导体中导带电子浓度的增加...