N型半导体的形成原理 掺杂和缺陷均可造成导带中电子浓度的增高.对于锗、硅类半导体材料，掺杂Ⅴ族元素(磷、砷、锑等)，当杂质原子以替位方式取代晶格中的锗、硅原子时，可提供除满足共价键配位以外的一个多余电子，这就形成了半导体中导带电子浓度的增加，该类杂质原子称为施主.Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的施主往往采用Ⅳ或Ⅵ族元素.某些氧化物半导体，如ZnO、Ta2O5等，其化学配比往往呈现缺氧，这些氧空位能表现出施主的作用，因而该类氧化物通常呈电子导电性，即是N型半导体，真空加热，能进一步加强缺氧的程度，这表现为更强的电子导电性。
P型半导体的P是什么意思？N型半导体的N是什么意思？ P型半导体即空穴浓度远大于自e68a8462616964757a686964616f31333431363062由电子浓度的杂质半导体；N型半导体即自由电子浓度远大于空穴浓度的杂质半导体。P型和N型半导体都属于杂质半导体，掺杂过程涉及向本征半导体添加掺杂物原子，从而在达到热平衡的过程中改变电子和空穴这两种载流子的分布。根据杂质半导体中主要影响力的载流子，可以将半导体分为P型半导体和N型半导体。引入杂质后的半导体是很多电子器件的基础。扩展资料：半导体的分类：半导体材料很多，按化学成分可分为元素半导体和化合物半导体两大类。锗和硅是最常用的元素半导体。化合物半导体包括第Ⅲ和第Ⅴ族化合物（砷化镓、磷化镓等）、第Ⅱ和第Ⅵ族化合物（硫化镉、硫化锌等）、氧化物（锰、铬、铁、铜的氧化物），以及由Ⅲ-Ⅴ族化合物和Ⅱ-Ⅵ族化合物组成的固溶体（镓铝砷、镓砷磷等）。除上述晶态半导体外，还有非晶态的玻璃半导体、有机半导体等。半导体的分类，按照其制造技术可以分为：集成电路器件，分立器件、光电半导体、逻辑IC、模拟IC、储存器等大类，一般来说这些还会被分成小类。此外还有以应用领域、设计方法等进行分类；虽然不常用，但还是按照IC、LSI、VLSI（超大LSI）及其规模进行。
氧化锌的半导体机制是什么呢？（它为什么是n型半导体）？ 宽带隙透明氧化物本征半导体，导带是未填充的金属阳离子能级，价带是填充电子的氧离子能级。氧化锌本征半导体的载流子浓度较低，但是由于氧原子空位、间隙锌离子的存在，。
