为什么在栅极电压相同的情况下不同氧化层厚度的MOS结构所形成的势阱存储电荷的容 栅氧化层厚度是多少

在受主浓度为1016cm－3的P型硅衬底上，理想的MOS电容具有0.1μm厚度的氧化层，εro=4． 计算下列条件下的电容值： 已知VG=2V，f=1Hz ；nbsp；由 ；nbsp；nbsp；nbsp；nbsp；nbsp；nbsp；nbs...