在受主浓度为1016cm－3的P型硅衬底上，理想的MOS电容具有0.1μm厚度的氧化层，εro=4． 计算下列条件下的电容值： 已知VG=2V，f=1Hz ；nbsp；由 ；nbsp；nbsp；nbsp；nbsp；nbsp；nbsp；nbsp；nbsp；nbsp；nbsp；nbsp；则 ；nbsp；因为VG，所以 ；nbsp；nbsp；nbsp；已知VG=20V，f=1Hz ；
cmos工艺栅氧厚度为什么要逐渐减薄 说栅氧化层非重要道工序同栅氧化层厚度极值处干涉(—)精确解(○)比较篇名：用干涉研究超薄栅MOS系统FN振荡电流说明：值.图7(a)，
氧化层的厚度是怎样影响等效电容的 氧化层相当于绝缘2113介质，一般C=K*Area/d。可表示介电5261常数，4102Area表示上下极板1653重叠面积，d表示上下极板距离。k由绝缘物质决定，d可以看作氧化层厚度，氧化层越厚，电容越小。氧化层越厚，上下极板耐压越大，所以要折中考虑容值和耐压，来决定使用什么的厚度。
