固溶体和金属化合物在结构和性能上有什么主要差别 超晶格工艺

外延生长的工艺进展 为了克服外延工艺中的某些缺点，外延生长工艺已有很多新的进展。①减压外延：自掺杂现象是使用卤素化合物作源的外延过程中难以避免的现象，即从基片背面、加热体表面以及。芯片最小能做到多少纳米，达到极限后，该如何突破瓶颈？目前，手...