为什么在栅极电压相同的情况下不同氧化层厚度的MOS结构所形成的势阱存储电荷的容 栅氧化层电容等于

nmos，pmos传输门为什么会损失阈值电压 我来说明2113nmos传输高电平时的阈值损失已知截止条件5261：VGS，线性条件：VDS，饱和条件VDS＞VGS－VTH。先画1653电路图，漏端接Vin输入，源端接Vout输出并联一个电容...