nmos，pmos传输门为什么会损失阈值电压 我来说明2113nmos传输高电平时的阈值损失已知截止条件5261：VGS，线性条件：VDS，饱和条件VDS＞VGS－VTH。先画1653电路图，漏端接Vin输入，源端接Vout输出并联一个电容，衬底b接地，栅端接VDD。得VGS=VDD，VDS=VDD推出VDS＞VGS－VTH，NMOS管工作在饱和区，对负载电容充电，输出电压上升，源漏电压下降，当Vout=VDD－VTH时，即VGS=VDD－Vout=VTH。沟道在源处夹断nmos截止。所以nmos传输高电平有阈值损失。(漏端想传递源端的电压，但在漏端电压Vd=VDD－VTH时nmos管截止，电压不会再升高，所以存在阈值损失。
如果在1000进行氧化，假设没有初始氧化层，则完成1000栅氧化层需要多少时间 流3569 流3569 氧化层相当于结电容的介质，根据平板电容容量的公式cj=εs/d，d是介质的厚度，可以看出结电容容量跟介质厚度成反比，氧化层越薄电容量越大，相同栅极电压。
求助英语翻译 3 Fig.3.On-state characteristics for the SiC Static Induction Transistor(SIT).Due to the SIT device structure described above，it is commonly used 。
