-
硅片在什么情况下会氧化 为什么要去掉硅片表面的氧化层
硅片RCA清洗工艺中,氟化氢HF的氢钝化机理 线切割损伤层厚度可达10微米左右。一般采用20%的碱溶液在90℃条件腐蚀0.5~1min以达到去除损伤层的效果,此时的腐蚀速率可达到6~10ummin。初抛时间在达到去除损伤层的基础上尽量减短,...
硅片RCA清洗工艺中,氟化氢HF的氢钝化机理 线切割损伤层厚度可达10微米左右。一般采用20%的碱溶液在90℃条件腐蚀0.5~1min以达到去除损伤层的效果,此时的腐蚀速率可达到6~10ummin。初抛时间在达到去除损伤层的基础上尽量减短,...