硅片RCA清洗工艺中，氟化氢HF的氢钝化机理 线切割损伤层厚度可达10微米左右。一般采用20%的碱溶液在90℃条件腐蚀0.5～1min以达到去除损伤层的效果，此时的腐蚀速率可达到6～10um/min。初抛时间在达到去除损伤层的基础上尽量减短，以防硅片被腐蚀过薄。对于NaOH浓度高于20%W/V的情况，腐蚀速度主要取决于溶液的温度，而与碱溶液实际浓度关系不大。HF去除硅片表面氧化层：
半导体硅片工艺中有一个是 RCA cleaning RCA cleaning 就是采用RCA方法来清洗的意思.RCA是一种典型的、普遍使用的湿式化学清洗法，该清洗法主要包括以下几种清洗液：（1）SPM：H2SO4/H2O2 120～150℃ SPM具有很高的氧化能力，可将金属氧化后溶于清洗液中，并能把有机物氧化生成CO 2和H2O.用SPM清洗硅片可去除硅片表面的重有机沾污和部分金属，但是当有机物沾污特别严重时会使有机物碳化而难以去除.（2）HF(DHF)：HF(DHF)20～25℃ DHF可以去除硅片表面的自然氧化膜，因此，附着在自然氧化膜上的金属将被溶解到清洗液中，同时DHF抑制了氧化膜的形成.因此可以很容易地去除硅片表面的Al，Fe，Zn，Ni等金属，DHF也可以去除附着在自然氧化膜上的金属氢氧化物.用DHF清洗时，在自然氧化膜被腐蚀掉时，硅片表面的硅几乎不被腐蚀.（3）APM(SC-1）：NH4OH/H2O2/H2O 30～80℃ 由于H2O2的作用，硅片表面有一层自然氧化膜(SiO2)，呈亲水性，硅片表面和粒子之间可被清洗液浸透.由于硅片表面的自然氧化层与硅片表面的Si被NH 4OH腐蚀，因此附着在硅片表面的颗粒便落入清洗液中，从而达到去除粒子的目的.在 NH4OH腐蚀硅片表面的同时，H2O 2又在氧化硅片表面形成新的氧化膜.（4）HPM(SC-2)：HCl/H2O2/H2 O 65～85℃ 用于去除硅片表面的钠、铁、镁等金属。
硅片在什么情况下会氧化 个人感觉，硅片放在空气中，自然条件下即会缓慢地形成氧化层。时间长了，原本导电性还过得去的硅片就会慢慢地变得绝缘起来.而且硅片表面的氧化层还不太好除去，最好还是放在液体中封存~
