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直接带隙半导体氧化铋
为什么直接带隙半导体的发射带为窄带 简单点说,从能带图2113谱可以看出,间接带隙半导体中的电5261子在跃4102迁时K值会发生变化,这意味着电子跃迁前1653后在K空间的位置不一样了,这样会极大的几率将能量释放给晶格,转化为声子,变成热...
为什么直接带隙半导体的发射带为窄带 简单点说,从能带图2113谱可以看出,间接带隙半导体中的电5261子在跃4102迁时K值会发生变化,这意味着电子跃迁前1653后在K空间的位置不一样了,这样会极大的几率将能量释放给晶格,转化为声子,变成热...