为什么直接带隙半导体的发射带为窄带 简单点说，从能带图2113谱可以看出，间接带隙半导体中的电5261子在跃4102迁时K值会发生变化，这意味着电子跃迁前1653后在K空间的位置不一样了，这样会极大的几率将能量释放给晶格，转化为声子，变成热能释放掉。而直接带隙中的电子跃迁前后只有能量变化，而无位置变化，于是便有更大的几率将能量以光子的形式释放出来。想让间接带隙材料发光，可以采用参杂引入客发光体，将能量引入客发光体使其发光（提高发光效率）
直接带隙和间接带隙有什么区别 材料的电子特性不同：直接带隙只需要吸收能量，间接带隙不仅要吸收能量还要改变动量。电子能量值分布不同：直接带隙在同一位置，间接带隙在不同位置。。
为什么说直接带隙半导体更适用于做光电器件？ 从能带图来解释，能带图是E~K关系，间接带隙的半导体，从导带底向价带顶之间的跃迁k会发生变化，也就是运…
如何确定半导体是直接带隙还是间接带隙的？测试方法或公式等。请详细说明。万分感谢。间接带隙半导体材料（如Si、Ge）导带最小值（导带底）和满带最大值在k空间中不同位置。
直接带隙和间接带隙有什么区别？ 有个链接很好，想详细了解操作细节的可以点这里Ref【1】http：//www. physics.smu.edu/scalise /P5337fa11/notes/ch07/chapter7.pdf 关于Brillouin Zone，其实直观上的理解就是。
直接带隙和间接带隙是怎么回事？ 直接带隙半导体材料就是导带最小值（导带底）和满带最大值在k空间中同一位置.电子要跃迁到导带上产生导电的电子和空穴（形成半满能带）只需要吸收能量.间接带隙半导体材料导带最小值（导带底）和满带最大值在k空间中.
