三星最近展示了其最新的移动RAM芯片，这些芯片是使用EUV光刻技术制造。根据Engadget的报告，三星已经开始生产其新的16GB LPDDR5移动RAM，这是首次使用EUV制造的产品。
EUV技术利用激光和光敏化学品蚀刻硅。这项发展是三星内存生产能力的突破，这不仅使其在竞争者中脱颖而出，而且清除了“重大的发展障碍”。换句话说，这种进步为整个存储器行业打开了增长之门。
新存储芯片的带宽比以前的12GB RAM快16％，现在，改进的内存带宽高达6.4Gbps（相对于5,500Mb / s），三星表示，最新一代的内存可以在一秒钟内传输10部5GB的全高清电影，也就是51.2GB的数据。而其大小也缩小了30％，这在移动RAM市场上非常重要，因为零件的缩小使智能手机制造商可以使其设备更纤薄，或者为电池等其他组件提供更多的内部空间。
目前，三星正准备在旗舰智能手机中提供这种新的RAM。我们很可能会看到三星推出具有这些芯片的新一代高端手机。该公司也可能将其推向竞争对手。值得注意的是，三星还希望将这些新芯片引入汽车行业，这可能会改善汽车的信息娱乐系统。
三星即将量产用于移动设备（例如即将推出的Galaxy S21手机）的第三代16 Gb LPDDR5存储芯片。利用其最先进的工艺节点（称为1z），这是使用EUV光刻技术批量生产的16Gb LPDDR5的第一个版本。
