清洗好的硅片需要立即作氧化氮化吗 清洗好的硅片需要立即作氧化氮化气体渗氮（或软氮化）后直接在炉内做后氧化工艺，是国外常用的一种工艺方法，可得到均匀的1-3微米厚度的氧化层，零件外观是均匀的灰黑色，非常漂亮，成倍提高零件耐腐蚀性能，不需要像楼主说的那样，做完渗氮冷到室温后再进行酸洗、氧化，能够避免酸洗工序带来的各种不良影响。氧化色的出现，两种情况：一是氮化过程中氧化，二是冷却过程中氧化。从描述中所说：金相检验氧化色处没有白亮层，这一点来看，应不是冷却过程中造成的吧。
太阳能硅片在清洗的过程中怎样防止氧化？ 一般硅片清洗是氢氟酸泡去氧化层，然后用除过氧的水清洗。太阳能硅片不知道有没有不同。
硅片清洗剂有什么作用？ 硅片清洗剂广泛应用于光伏，电子等行业硅片清洗；由于硅片在运输过程中会有所污染，表面洁净度不是很高，对即将进行的腐蚀与刻蚀产生很大的影响，所以首先要对硅片表面进行一系列的清洗操作。清洗的一般思路首先是去除表面的有机沾污，然后溶解氧化膜，因为氧化层是“沾污陷进”，会引起外延缺陷；再去除颗粒、金属等，同时使硅片的表面钝化。多采用传统的RCA清洗方法，不仅可以去除硅片表面的金属、有机物等，还可以去除小颗粒等污染物。清洗工艺编辑2.1RCA清洗法RCA清洗法又称工业标准湿法清洗工艺，是由美国无线电公司(RCA)的Kem和Puotinen等人于20世纪60年代提出后，由此得名。RCA湿法清洗由两种不同的化学溶液组成，主要洗液成分见表2.1，表2.2，表2.3。SPM具有很高的金属氧化能力，可将金属氧化后溶于清洗液中，并能将有机物氧化生成二氧化碳和水。用SPM清洗硅片可以去除表面的种有机沾污和部分金属，当沾污特别严重时，难以去除干净。DHF（HF），可以去除硅片表面的自然氧化膜，同时抑制氧化膜的形成。易去除硅表面的Al、Fe、Zn、Ni等金属，也可以去除自然氧化膜上的氢氧化物。在自然那氧化膜被腐蚀掉时，硅片几乎不被腐蚀。SC-1清洗液是能去除颗粒和有机。
