裸芯片叠层3D封装是什？ 最常见的裸芯片叠层3D封装先将生长凸点的合格芯片倒扣并焊接在薄膜基板上，这种薄膜基板的材质为陶瓷或环氧玻璃，其上有导体布线，内部也有互连焊点，两侧还有外部互连焊点。
TSOP封装的TSOP封装的发展 叠层芯片封装是封装技术发展的主流，因为它符合了封装技术发展的趋势即：大容量、高密度、多功能、低成本。和过去单芯片封装技术相比，它打破了单纯以封装类型的更替来实现大容量、高密度、多功能、低成本的限制，而且，由于叠层技术的出现，它让一些似乎已经过时的封装类型重新焕发生机。2006年对于TSOP封装来讲是非常重要的一年。由于TSOP封装的容积率和运行速度不及BGA封装，这种曾经广泛应用于DRAM的封装类型在DDR/DDRII中已经消失。但是随着数码产品的大量普及，人们对大容量、高密度、低成本的存储卡的需求激增，它已经成了仅次于SIP的NAND存储器的封装类型。在TSOP的封装技术发展方面，主要有TSOP2+0、TSOP2+1、TSOP3+0、TSOP4+0、TSOP5+0、TSOP4+3等，其技术已经非常成熟、成品率高。由于芯片面积越来越大，为了解决焊接空间的不足，一些在SIP封装中得到应用的新技术也将开始出现在TSOP高密度封装中。为了解决由于SIP的柔韧性不足的问题，TSOPSIP也会成为另一发展方向。
3D封装的3D封装的分类 一：封装趋势是叠层封(PoP)；低产率芯片似乎倾向于PoP。二：多芯片封装(MCP)方法，而高密度和高性能的芯片则倾向于MCP。三：以系统级封装(SiP)技术为主，其中逻辑器件和存储器件都以各自的工艺制造，然后在一个SiP封装内结合在一起。目前的大多数闪存都采用多芯片封装（MCP，Multichip Package），这种封装，通常把ROM和RAM封装在一块儿。多芯封装（MCP）技术是在高密度多层互连基板上，采用微焊接、封装工艺将构成电子电路的各种微型元器件(裸芯片及片式元器件)组装起来，形成高密度、高性能、高可靠性的微电子产品(包括组件、部件、子系统、系统)。技术上，MCP追求高速度、高性能、高可靠和多功能，而不像一般混合IC技术以缩小体积重量为主。但随着Flash闪存以及DRAM闪存追求体积的最小化，该封装技术由于使用了金属丝焊接，在带宽和所占空间比例上都存在劣势，而WSP封装技术将会是一个更好解决方案。
