LED芯片制造工艺流程 外延片→清洗→镀透明电极2113层→透明电5261极图形光刻→腐蚀→去胶→平台图形光4102刻→干法刻蚀→去胶→退1653火→SiO2沉积→窗口图形光刻→SiO2腐蚀→去胶→N极图形光刻→预清洗→镀膜→剥离→退火→P极图形光刻→镀膜→剥离→研磨→切割→芯片→成品测试。其实外延片的生产制作过程是非常复杂的，在展完外延片后，下一步就开始对LED外延片做电极（P极，N极），接着就开始用激光机切割LED外延片（以前切割LED外延片主要用钻石刀），制造成芯片后，在晶圆上的不同位置抽取九个点做参数测试.1、主要对电压、波长、亮度进行测试，能符合正常出货标准参数的晶圆片再继续做下一步的操作，如果这九点测试不符合相关要求的晶圆片，就放在一边另外处理。2、晶圆切割成芯片后，100%的目检（VI/VC），操作者要使用放大30倍数的显微镜下进行目测。3、接着使用全自动分类机根据不同的电压，波长，亮度的预测参数对芯片进行全自动化挑选、测试和分类。4、最后对LED芯片进行检查（VC）和贴标签。芯片区域要在蓝膜的中心，蓝膜上最多有5000粒芯片，但必须保证每张蓝膜上芯片的数量不得少于1000粒，芯片类型、批号、数量和光电测量统计数据记录在标签上，附在蜡光纸的背面。蓝膜。
热电堆传感器中为啥一定要用蓝膜芯片？ 蓝膜芯片只是用蓝膜包装的芯片（芯片尺寸非常小，看下图），芯片属于NTC热敏芯片，采用蓝膜包装的这类小尺寸NTC热敏电阻芯片，适用于邦定工艺，使客户生产效率提高，成本。
最低0.27元开通文库会员，查看完整内容>；原发布者：维普网2013年2月15日第36卷第4期现代电子技术ModernElectronicsTechniqueJan．2013V0I．36No．4芯片产业化过程中所使用UV膜与蓝膜特性分析杨跃胜，武岳山（1．深圳市远望谷信息技术股份有限公司，广东深圳2．西北大学信息科学与技术学院，陕西西安518057；710127）摘要：为了提高Wafer￣工工艺质量，推动芯片产业化的目的，理论上对比了uV膜和蓝膜的特性，实践中分别使用Uv膜和蓝膜加工Wafer并做倒封装摘片实验，得出小芯片减薄划切时应用uV膜对倒封装生产线具有优越性，可以提高芯片摘取效率，可以防止崩片。同时结合实验，得到uV膜在应用中出现的一些问题，并给出解决办法，最终测试结果符合预期的结果。关键词：uV膜；蓝膜；集成电路；RFID中图分类号：TN405—34文献标识码：A文章编号：1004．373X（2013）04—0121—02Featureanalysis
