通过注册电气工程师的大牛们是如何搞定那几十门课几十本书的? 泻药。这个问题目前还回答不了,因为我还没有考注电。不过倒是实验室的师兄有考过的。狠刷题,多看书。要…今年二十三岁,如何在二十六岁挣到一百万? ?www.zhihu.com 看题主就是个苦命人儿 如果你是想纯打工 就必须得指望月薪 三十六个。https://ae01.alicdn.com/kf/HTB1EMceVAzoK1RjSZFlq6yi4VXaH.jpg? ae01.alicdn.com 。测量介质损失有什么意义? 测量介质损耗的意义在哪里?在电力系统中,用于介质损耗是用于测量高压套管,互感器的绝缘分布情况,介质损耗角正切值又称介质损耗因数或介损角,通常用δ表示,在平时的预防性项目或者检修过程中,测量介质损耗因数是一项灵敏度很高的试验,通过施加高压可以发现电力设备绝缘整体受潮、劣化变质以及小体积被试设备贯通和未贯通的局部缺陷,这就是测量介质损失的最大的意义。介质损耗测量结果的实际案例例如:测量变压器套管的介质损耗测试仪,正常状态时,tg值为0.5%,而当受潮后tg值为3.5%,两个数据相差7倍,而用测量绝缘电阻检测,受潮前后的数值相差不大,由此我们也可以得出,通过介质损耗的测量能更深入的发现电气设备的受潮情况。目前,测量介质损耗存在的问题(1)抗干扰能力由于介质损耗测试是一个灵敏度很高的项目,因此测试数据也极易受到外界电场的干扰,目前介损测试仪采取的抗干扰方法主要有:倒相法、移相法、异频法等,虽然这些方法能在一定程度下解决干扰的问题,但当外界干扰很强的情况下,仍会产生较大的偏差。(2)反接法的测试精度问题现场很多电力设备均已接地,因此必须使用反接法进行检测,但反接时,影响测试数据的因素较多,往往数据。为什么要选择介质损耗角正切作为测试,判断电介质的绝缘状态优劣的判据 电介质在交变电场作用下,根据电场频率、介质种类的不同,其介电行为可能产生以下知两种情况。对于理想介质而言,电位移与电场强度在时间上没有相位道差,此时极化强度与交变电场同相位,交流电流刚好超前电压π/2。对于实际介质而言,电位版移与电场强度存在位相差。此时介质电容器交流电流超前电压的相角权小于π/2。由此,介质损耗角等于介质电容器交流电流与电压相角差的余角。怎么看近视镜片质量? 表示每次看不出眼镜片质量的好坏到底有何不同 觉得每次都被坑了 眼镜行业真的是暴利啊!很想解决这个问…问电容发热的原因和突变电容两极电压的可行性? 1)在实际电路中,电容工作会发热,这个发热,和什么有关?通过电流一定时和频率有关吗?这个发热损失是…为什么我国部分理科生会看不起文科生? 很多歧视文科的理科生(例如@黄裳)的错误在于,把中国现行教育体系下,文科教育相比于理科教育的缺陷,…介质损耗正切角是什么? 介质损2113耗正切角:表示为获得给定的存储电荷要消5261耗的能量的大小。δ称为4102损1653耗角,tanδ称为损耗角正切值。介质损耗不但消耗了电能,而且使元件发热影响其正常工作。如果介电损耗较大,甚至会引起介质的过热而绝缘破坏,所以从这种意义上讲,介质损耗越小越好。介质损耗正切角是电介质作为绝缘材料使用时的重要评价参数,为了减少介质损耗,希望材料具有较小的介电常数和更小的损耗角正切。扩展资料:原理:材料介电性能主要用介电常数ε和介电损耗角正切tanδ来表征,其中介电常数是综合反映电介质极化行为的宏观物理量。介电损耗角正切表征每个周期内介质损耗的能量与其贮存能量之比。作用:在实际工程应用中,介质损耗通常都是用介质损耗角的正切tanδ来表示的。用tanδ值来研究电介质损耗具有以下两个明显的优点:(1)tanδ值可以和介电常数ε同时测量得到;(2)tanδ值与测量样品的大小和形状都无关,是电介质自身的属性,并且在许多情况下,tanδ值比ε值对介质特性的改变敏感的多。参考资料来源:—介质损耗相对介电常数和介电损耗ε和损耗正切值tanδ随频率变化的可能原因。 介电损耗角正切又称介2113质损耗角正切5261,是指电介质在4102单位时间内每单位体积中,1653将电能转化为热能(以发热形式)而消耗的能量。表征电介质材料在施加电场后介质损耗大小的物理量,以tanδ来表示,δ是介电损耗角。在实际工程应用中,介质损耗通常都是用介质损耗角的正切tanδ来表示的。用tanδ值来研究电介质损耗具有以下两个明显的优点:(1)tanδ值可以和介电常数ε同时测量得到;(2)tanδ值与测量样品的大小和形状都无关,是电介质自身的属性,并且在许多情况下,tanδ值比ε值对介质特性的改变敏感的多。高分子材料多系绝缘性好的材料,广泛的用于电子及电工行业。使用时不希望绝缘材料本身能量损耗大,因而测量出介质损耗因数就能评价材料的介质本身能量损耗。工业上多选用介质损耗因数小的高分子材料作为绝缘材料。通常极性橡胶的tanδ比非极性橡胶的大。它还与试验采用的频率、温度紧密相关。在一定温度下,只有在某一频率范围内,分子偶极取向虽可追随电场变化,但不完全同步,有部分电能被吸收而发热,tanδ出现最大值。同样在一定频率下,惟有某一温度区域内tanδ才会出现极大值,当频率升高时,介质损耗峰移向高温端。频率升高,介电常数减小,这跟。
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