位错的几种观察方法 间接观察，若材料32313133353236313431303231363533e58685e5aeb931333330333633中的位错线与材料表面相交（俗称位错“露头”），则交点 一个螺位错附近的晶面排列情况处附近由于位错应力场的存在，其化学稳定性将低于表面的其它部分。若用酸性腐蚀剂（如氢氟酸和硝酸的混合溶液）对这样的表面进行腐蚀，则位错“露头”处的腐蚀速度将远高于其它部分，可形成一个“腐蚀坑”。再利用一些表面显微观察技术（如扫描电子显微镜、干涉显微镜等等）便可以观察到位错的“露头”位置。下图中展示了在干涉显微镜下，经上述方法制备得到硅片表面位错腐蚀坑的形态，根据腐蚀坑边缘的形状可以确定硅片的晶体学取向—椭圆形代表硅片表面为(100)晶面，三角形代表硅片表面为(111)晶面。若施加外力令材料发生一系列微小变形，则每次变形后某一特定位错都将处(100)硅片表面的位错于不同的位置。如果每次变形后都对材料表面进行腐蚀，则同一位错形成的一系列腐蚀坑将粗略地显示出位错运动的轨迹。直接观察，利用透射电子显微镜（Transmission Electron Microscope，简称TEM）可直接观察到材料微结构中的位错。TEM观察的第一步是将金属样品加工成电子束可以穿过的薄膜。在没有位错存在。
什么叫做晶须？ 晶须是指在人工控制条件下以单晶形式生长成的一种纤维，其直径非常小（微米数量级），不含有通常材料中存在的缺陷（晶界、位错、空穴等），其原子排列高度有序，因而其强度接近于完整晶体[1]的理论值。其机械强度等于邻接原子间力。晶须的高度取向结构不仅使其具有高强度、高模量和高伸长率，而且还具有电、光、磁、介电、导电、超导电性质。晶须的强度远高于其他短切纤维，主要用作复合材料的增强体，用于制造高强度复合材料。制造晶须的材料分金属、陶瓷和高分子材料3大类。已发现有100多种材料可制成晶须，主要是金属、氧化物、碳化物、卤化物、氮化物、石墨和高分子化合物。晶须可从过饱气相、熔体、溶液或固体生长，常生产成不同规格的纤维，其使用形态有原棉、松纤维、毡或纸。原棉（如由蓝宝石晶须构成）具有很松散的结构，长径比为500～5000∶1，松密度为0.028g／cm3。松纤维具有轻微交错的结构，长径比为10～200∶1。毡或纸状的晶须，排列杂乱，长径比为250～2500∶1。β-SiC晶须及其作为增强增韧耐磨耐腐蚀耐高温复合材料市场前景分析。SiC晶须是高技术关键新材料，是金属基、陶瓷基和高聚物基等先进复合材料的增强剂，用于陶瓷基、金属基和树脂基复合材料。
高温蠕变的机理是什么？ 1 高温蠕变的位错运动理论(位错的攀移）在高温下原子热运动加剧。可以使位错从障碍中解放出来，引起蠕变。位错运动除产生滑移外，位错攀移也能产生宏观上的形变。2扩散蠕变。
