动态RAM的三种刷新方式是什么？ DRAM的刷新方式百 常用刷新方式：教科书P84图3.14① 集中式-正常读/写操作与刷新操作分开进行，刷新集中完成度。特点：存在一段停止读问/写操作的死时间答 适用于高速存储器② 分散式-将一个存储系统周期分成两个时间片，分时进行正常读/写操作和刷新操作。特点：不存在停止读/写操作的死时间但系统运行速度降低③ 异步式-前两种方回式的结合，每隔一段时间刷新一次，保证在刷新周期内对整个存储答器刷新一遍。
集中刷新，分散刷新，异步刷新三种方式的刷新间隔各为多少 采用集中刷新方式刷新间隔为：2ms，其中刷新死时间为：256×0.1μs=25.6μs采用分散刷新方式刷新间隔为：256×（0.1μs+×0.1μs）=51.2μs 采用异步刷新方式刷新间隔为：2ms
集中刷新，分散刷新，异步刷新三种方式的刷新间隔各为多少 一个 8K×8 位的动态 RAM 芯片，其内部结构排列成 256×256 形式，存取周期为 0.1 μ s。试问采用集中刷新、分散刷新和异步刷新三种方式的刷新间隔各为多少？解：采用分散刷新方式刷新间隔为：2ms，其中刷新死时间为：256×0.1 μ s=25.6 μ s采用分散刷新方式刷新间隔为：256×（0.1 μ s+×0.1 μ s）=51.2 μ s采用异步刷新方式刷新间隔为：2ms解析：(1).设DRAM中电容的电荷每2ms就会丢失，所以2ms内必须对其补充。补充电荷是按行来进行的，为了【全部】内存都能保住电荷，必须对【所有】的行都得补充。假设刷新1行的时间为0.1μs（刷新时间是等于存取周期的。因为刷新的过程与一次存取相同，只是没有在总线上输入输出。顺便说一下存取周期＞真正用于存取的时间，因为存取周期内、存取操作结束后仍然需要一些时间来更改状态。对于SRAM也是这样，对于DRAM更是如此）。并假设按存储单元(1B/单元)分为64行64列。（256×256个单元×1B/单元=2^16个单元×1B/单元=64KB内存<；=>；8K*8）。集中刷新：快到2ms的时候，停止一切对内存的读取操作，使用0.1μs×256对256行依次刷新。这将占用25.6μs。在这25.6μs中，内存只用来刷新，阻塞一切存取操作。补充一点给楼主：为什么刷新与。
