我想一下三极管8050的性能参数， c8050三极管主要性能参数

三极管8050，8550，9014，这三种，可以用C1815替换吗？三极管8050，8550，9014，这三种，可以用C1815替换吗？C1015，TL431，可以替换吗，如果不行，有哪些常见的三极管可以。我想一下三极管8050的性能参数， NEC的8050；晶体管类型：开关型；极性：NPN；材料：硅；最大集存器电流(A)：0.5 A；直流电增益：10 to 60；功耗：625 mW；最大集存器发射电压（VCEO）：25；频率：150 KHz.PE8050 硅 NPN 30V 1.5A 1.1WMC8050 硅 NPN 25V 700mA 200mW 150MHzCS8050 硅 NPN 25V 1.5A FT=190*K3DG8050 硅 NPN 25V 1.5A FT=190*K2SC8050 硅 NPN 25V 1.5A FT=190*K8550三极管参数 集电极-基极电压Vcbo：-40V，工作温度：-55℃ to+150℃，最大集电极电流为1.5 A。直流电增益：10 to 60；功耗：625 mW；最大集电极发射电压（VCEO）：25；频率：150MHz。三极管8550是一种常用的普通三极管。它是一种低电压，大电流，小信号的PNP型硅三极管。最大集电极电流为1.5 A。1脚=E（发射极，带箭头的那个），2脚=B（基极），3脚=C（集电极）。三极管是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种。扩展资料特征频率为当f=fT时，三极管完全失去电流放大功能。如果工作频率大于fT，电路将不正常工作。fT称作增益带宽积，即fT=βfo。若已知当前三极管的工作频率fo以及高频电流放大倍数，便可得出特征频率fT。随着工作频率的升高，放大倍数会下降．fT也可以定义为β=1时的频率．电压/电流，用这个参数可以指定该管的电压电流使用范围。VCEO为集电极发射极反向击穿电压，表示临界饱和时的饱和电压。封装形式指定该管的外观形状，如果其它参数都正确，封装不同将导致组件无法在电路板上。c1815三极管参数有没有知道的 你好c1815三极管参数：，该管是硅NPN管，参数：60伏，0.15安，0.4瓦，8兆赫。1815 NPN型三极管，如果用数字万用表测试，现在一般的数字万用表都可以检测晶体管，把1815三。三极管9014、9018、8050C等等是怎么命名的？ 中国半导体器件型号命名方法半导体器件型号由五部分（场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分）组成。。三极管9014、9018、8050C等等是怎么命名的？ 1、中国半导体器件型号命名方法半导体器件型号由五部分（场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分）组成。五个部分意义如下：第一部分：用数字表示半导体器件有效电极数目。2-二极管、3-三极管第二部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。表示二极管时：A-N型锗材料、B-P型锗材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。表示三极管时：A-PNP型锗材料、B-NPN型锗材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。第三部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的内型。P-普通管、V-微波管、W-稳压管、C-参量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、U-光电器件、K-开关管、X-低频小功率管(F，Pc)、G-高频小功率管（f>；3MHz，Pc)、D-低频大功率管（f，Pc>；1W)、A-高频大功率管（f>；3MHz，Pc>；1W)、T-半导体晶闸管（可控整流器）、Y-体效应器件、B-雪崩管、J-阶跃恢复管、CS-场效应管、BT-半导体特殊器件、FH-复合管、PIN-PIN型管、JG-激光器件。第四部分：用数字表示序号第五部分：用汉语拼音字母表示规格号例如：3DG18表示NPN型硅材料高频三极管2、日本半导体分立器件型号命名方法日本生产的半导体分立器件，由五至七部分组成。通常只用到前五。三极管的主要参数 三极管的2113主要参数：特征频率：当f=fT时，三极管5261完全失去电4102流放大功能.如果工作频率大1653于fT，电路将不正常工作。fT称作增益带宽积，即fT=βfo。若已知当前三极管的工作频率fo以及高频电流放大倍数，便可得出特征频率fT。随着工作频率的升高，放大倍数会下降．fT也可以定义为β=1时的频率。电压/电流：用这个参数可以指定该管的电压电流使用范围。hFE：电流放大倍数。VCEO：集电极发射极反向击穿电压，表示临界饱和时的饱和电压。PCM：最大允许耗散功率。封装形式：指定该管的外观形状，如果其它参数都正确，封装不同将导致组件无法在电路板上实现。扩展资料：电流放大的结构及原理：1、电路结构电流放大器电路拓扑结构可以为电压、电流在第一象限的Buck 电路，也可以采用电流单向流动、电压双象限的H 桥式电路，也可以采用四象限H 桥式电路，其拓扑电路结构如图2(a)～图2(c)所示。这三种电路结构针对不同应用场合灵活选取。2、基本原理电流放大器采用输出电流闭环控制，影响电流输出响应速度的主要因素是阻感性负载的时间常数Te=L/RL，当此时间常数较大时，输出电流响应难以提高。因此，提高电流放大器响应速度的主要措施就是减小被控对象的等效时间。三极管 8050 和 8550 各自的性能分别是什么 有替换的吗？ 三极管8050和8550对管的参数 发表于：2009年12月23日 图1 8050和8550三极管TO-92封装外形和引脚排列图2 8050和8550三极管SOT-23封装外形和引脚排列8050和8550三极管在电路。我想一下三极管8050的性能参数， NEC的8050；晶体管类型：开关型；极性：NPN；材料：硅；最大集存器电流(A)：0.5 A；直流电增益：10 to 60；功耗：625 mW；最大集存器发射电压（VCEO）：25；频率：150 KHz.PE8050 硅 NPN 30V 1.5A 1.1W MC8050 硅 NPN 25V 700mA 200mW 150MHz CS8050 硅 NPN 25V 1.5A FT=190*K 3DG8050 硅 NPN 25V 1.5A FT=190*K 2SC8050 硅 NPN 25V 1.5A FT=190*K三极管c9015参数有哪些 要有主要用途 反压Vbeo 电流Icm 功率Pcm 放大系数 特征频率例如：C9014 NPN三极管 主要用途：作为低频、低噪声前置放大，应用于*机、VCD、DVD、电动玩具等*产品。

#npn型三极管#三极管8050#三极管#半导体#三极管开关电路