总结电位相对性和电压绝对性的原理 原理说2113明在一个确定的闭合电路中，各点电位的高5261低视所选的电位参考4102点的不同而变1653，但任意两点间的电位差（即电压）则是绝对的，它不因参考点电位的变动而改变。据此性质，我们可用一只电压表来测量出电路中各点相对于参考点的电位及任意两点间的电压。电位图（电位图中电位ΦC语言编译中全部用u替代）是一种平面坐标一、四两象限内的折线图。其纵坐标为电位值，横坐标为各被测点。要制作某一电路的电位图，先以一定的顺序对电路中各被测点编号。以图1（图1为C语言编译）的电路为例，如图中的A～F，并在坐标横轴上按顺序，均匀间隔标上A、B、C、D、E、F、A。再根据测得的各点电位值，在各点所在的垂直线上描点。用直线依次连接相邻两个电位点，即得该电路的电位图。电压图（C语言编译中电压用U表示）是一种平面坐标一、四两象限内的折线图。其纵坐标为电压值，横坐标为俩点间的电压。要制作某一电路的电压图，先以一定的顺序对电路中各被测点编号。以图1的电路为例，如图中的A～F，并在坐标横轴上按顺序，现在在坐标横轴上均匀间隔标上UAB、UBC、UCD、UDE、UEF、UFA，在根据计算或者测量电压值，在各点所在的垂直线上描点。用直线依次连接相邻两个。
通过三个电极的电位，怎样判断是PNP还是NPN？怎样确定三个电极分别是e、d、c？ 首先，这是一个放大电2113路。在放大电路中，晶体管无5261论是4102PNP型(电压关系：Ve＞Vb＞Vc)，还是NPN型1653(电压关系：Vc＞Vb＞Ve)，Vb都是中间量，即基级b，再通过导通压降找到发射极e，从而得出集电极c。最后通过Vc、Vb、Ve大小关系得出三极管的类型。在PnP技术出现之前，中断和I/O端口的分配是由人手工进行的，例如想要这块声卡占用中断5，就需要找一个小跳线在卡上标着中断5的针脚上一插。这样的操作需要用户了解中断和I/O端口的知识，并且能够自己分配中断地址而不发生冲突，对普通用户提出这样的要求是不切实际的。扩展资料：三极管最基本的作用是放大作用，它可以把微弱的电信号变成一定强度的信号，当然这种转换仍然遵循能量守恒，它只是把电源的能量转换成信号的能量。三极管有一个重要参数就是电流放大系数β。当三极管的基极上加一个微小的电流时，在集电极上可以得到一个是注入电流β倍的电流，即集电极电流。集电极电流随基极电流的变化而变化，并且基极电流很小的变化可以引起集电极电流很大的变化，这就是三极管的放大作用。三极管可以看成是2个PN结。测试其好坏只要测其PN结是否正常就行。其方法是，用电阻档测b，c极和b，e极的正反电阻，相差几。
什么是平带电位？ 平带电位（Flat band voltage）就是在MOS系统中，使半导体表面能带拉平（呈平带状态）所需要外加的电压时的电位。用来表征：平带状态一般是指理想MOS系统中各个区域的能带都是拉平的一种状态。测量：电化学方法：在三电极体系下，使用入射光激发半导体电极，并改变电极上的电势。当施加的电位比平带电位偏负的时候，光生电子不能够进入外电路e799bee5baa6e997aee7ad94e78988e69d8331333431363539，也就是说不会产生光电流。相反，当施加的电位比平带电位偏正的时候，光生电子则能偶进入外电路，进而产生光电流。所以开始产生光电流的电势即为该纳米半导体的平带电位。扩展资料：平带电压计算平带电压可分为两部分相加，Vfb=Vfb1+Vfb2，Vfb1用来抵消功函数差的影响，Vfb2用来消除氧化层及界面电荷的影响1）Vfb1Vfb1=φms=φg-φf；对于多晶硅栅，高掺杂的情况下，φg≈0.56V，+用于p型栅，-用于n型栅。φf是相对于本征费米能级的费米势。2）Vfb2以固定的有效界面电荷Q0来等效所有各类电荷作用，Vfb2=-Q0/Cox。Cox为单位面积氧化层电容，可用ε0/dox求得。总结起来，Vfb=φg-φf-Q0/Cox。参考资料来源：-平带电位
