位错在金属晶体中运动可能收到哪些阻力 晶格阻力、晶界阻力（晶界阻碍位错运动，即位错塞积机制）、位错之间相互缠结，形成扭折与割阶，另外还有第二相粒子对其阻碍作用，分为不可变形微粒的位错绕过机制以及可变形微粒的位错切割机制.
简要分析加工硬化，细晶强化，固熔强化及弥散强化在本质上有何异同 相同点：都是位错运动受阻，增加了位满运动的阻力，使得材料得到强化。不同点：①加工硬化：位错塞积、位错阻力和形成割阶消耗外力所做的功为其可能机制；②细晶强化：增加。
给出位错运动的点阵主力与晶体结构的关系式，说明为什么晶体滑移通常发生在原子最密排的晶面和晶向. 您想问位错运动的点阵阻力与晶体结构的表达式？派纳力公式如下：a代表滑移面间距，b为位错柏氏矢量长度，μ为泊松比.派纳力决定于晶体滑移面和滑移方向，对于同种晶体，滑移面间距a增大则派纳力减小，a减小则派纳力增大，所以晶体的滑移面应该是滑移面间距a最大的面（此时阻力最小），即为最密排面；原子最密排方向上两个平衡原子间距离最小，滑移所需的能量最低，所以晶体滑移通常发生在原子最密排的晶面和晶向.—老师刚留了类似的问题，顺手回答一下，希望能够帮到您.
