怎么半导体中测量电子的有效质量？ 用FN振荡电流的极值，测量电子在薄栅MOS结构的栅氧化层中的平均有效质量方法.利用波的干涉方法来处理电子隧穿势垒的过程，方便地获得了出现极值时外加电压和电子的有效质量。
最低0.27元开通文库会员，查看完整内容>；原发布者：不忘初心纳米技术与纳米材料目录一、纳米科技的诞生二、纳米技术与纳米材料三、纳米材料的制备四、纳米材料的表征五、几种典型的纳米材料一、纳米科技诞生1959年，著名物理学家、诺贝尔奖获得者理查德·费曼预言，人类可以用小的机器制作更小的机器，最后将变成根据人类意愿，逐个地排列原子，制造“产品”，这是关于纳米技术最早的梦想。七十年代，科学家开始从不同角度提出纳米科技的构想。中国科学院化学所的科技人员石墨表面通过搬迁碳原子而绘出的世界上最小的中国地图。1974年，科学家唐尼古奇最早使用纳米技术一词。1982年，科学家发明研究纳米的重要工具－扫描隧道显微镜，使人类首次在大气和常温下看见原子，为我们揭示一个可见的原子、分子世界。1990年7月，第一届国际纳米科学技术会议在美国巴尔的摩举办，标志着纳米科技的正式诞生1990年美国国际商用机器公司在镍表面用36个氙原子排出“IBM”；1991年，NEC实验室观察到碳纳米管；1993年中国科学院北京真空物理实验室操纵原子成功写出“原子”二字。朗讯公司和牛津大学：纳米镊子碳纳米管“秤”，称量一个病毒的重量二、纳米技术与纳米材料纳米材料：在纳米量级(1～。
什么是Latch-up效应，试分析CMOS电路产生Latch-up效应的原因，通常使用哪些方法来防止或抑制Latch-up效应 即闩锁效应，又称自锁效应、闸流效应，它是由寄生晶体管引起的，属于CMOS电路的缺点。通常在电路设计和工艺制作中加以防止和限制。该效应会在低电压下导致大电流，这不仅能。
