硅片RCA清洗工艺中，氟化氢HF的氢钝化机理 线切割损伤层厚度可达10微米左右。一般采用20%的碱溶液在90℃条件腐蚀0.5～1min以达到去除损伤层的效果，此时的腐蚀速率可达到6～10um/min。初抛时间在达到去除损伤层的基础上尽量减短，以防硅片被腐蚀过薄。对于NaOH浓度高于20%W/V的情况，腐蚀速度主要取决于溶液的温度，而与碱溶液实际浓度关系不大。HF去除硅片表面氧化层：
CVD法沉积二氧化硅可通过哪些反应实现以及相关化学方程式 Handbook Of Chemical Vapor Deposition(Cvd)-Principles Technology And Applications(2Nd Noyes 1999)
什么是氧化膜？ 氧化膜金属钝化理论认为，钝化是由于表面生成覆盖性良好的致密的钝化膜。大多数钝化膜是由金属氧化物组成，故称氧化膜。金属在一定条件下，只有其表面被氧化，氧化物能在。
