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超宽禁带半导体氧化镓材料与器件 为什么宽禁带半导体材料适合制作高功率、高温和抗辐射的电子器件?

2021-04-25知识0

半导体器件方向的就业岗位有哪些? 本人985电子专业大三,准备保研,想读半导体材料与器件方向,请问硕士毕业后的工作岗位是怎样的?都是在…

什么是直接禁带半导体 直接禁2113带半导体材料就是导带最5261小值(导带底)和价带最大值4102在k空间中同一位置。电1653子要跃迁到导带上产生导电的电子和空穴(形成半满能带)只需要吸收能量,动量保持不变。直接带隙半导体(Direct gap semiconductor)的例子:GaAs、InP半导体。相反,Si、Ge是间接带隙半导体。直接带隙半导体的重要性质:当价带电子往导带跃迁时,电子波矢不变,在能带图上即是竖直地跃迁,这就意味着电子在跃迁过程中,动量可保持不变—满足动量守恒定律。相反,如果导带电子下落到价带(即电子与空穴复合)时,也可以保持动量不变—直接复合,即电子与空穴只要一相遇就会发生复合(不需要声子来接受或提供动量)。因此,直接带隙半导体中载流子的寿命必将很短;同时,这种直接复合可以把能量几乎全部以光的形式放出(因为没有声子参与,故也没有把能量交给晶体原子)—发光效率高(这也就是为什么发光器件多半采用直接带隙半导体来制作的根本原因)。

第一代、第二代、第三代半导体材料是什么-有什么区别 去文库,查看完整内容>;内容来自用户:中国智博库第一代、e69da5e887aa3231313335323631343130323136353331333433646430第二代、第三代半导体材料是什么?有什么区别第一代半导体材料概述第一代半导体材料主要是指硅(Si)、锗元素(Ge)半导体材料。作为第一代半导体材料的锗和硅,在国际信息产业技术中的各类分立器件和应用极为普遍的集成电路、电子信息网络工程、电脑、手机、电视、航空航天、各类军事工程和迅速发展的新能源、硅光伏产业中都得到了极为广泛的应用,硅芯片在人类社会的每一个角落无不闪烁着它的光辉。第二代半导体材料概述第二代半导体材料主要是指化合物半导体材料,如砷化镓(GaAs)、锑化铟(InSb);三元化合物半导体,如GaAsAl、GaAsP;还有一些固溶体半导体,如Ge-Si、GaAs-GaP;玻璃半导体(又称非晶态半导体),如非晶硅、玻璃态氧化物半导体;有机半导体,如酞菁、酞菁铜、聚丙烯腈等。第二代半导体材料主要用于制作高速、高频、大功率以及发光电子器件,是制作高性能微波、毫米波器件及发光器件的优良材料。因信息高速公路和互联网的兴起,还被广泛应用于卫星通讯、移动通讯、光通信和GPS导航等领域。第三代半导体材料概述第三代半导体材料。

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