请教EPI是什么工艺 ？ Epi_wafer：在single crystal wafer上再dep一层single crystal Si，Improve the performance of bipolar transistor，with high breakdown voltage of the collector-substrate junction and low collector resistance.Lightly doped epiwafer minimizes latch-up effect，accurately controlled doing concentration.是在2113原本Heavily doped substrate上，以的方式成长5261一层Lightly doped Epi-layer，以作为CMOS制程的底材。因此4102CMOS是直接1653建立在Lightly doped Epi-layer上，而Heavily doped substrate则作为接地。此可使CMOS中直立式pnp双载子寄生电晶体的电流不易横向地流往寄生的npn电晶体，而流向Heavily doped substrate。因为底材接地，寄生pnp与npn的闭锁(Latch up)现象可被抑制，但相对使用Epi-Wafer会提高成本。
latch up闩锁效应 最低0.27元开通文库会员，查看完整内容>；原发布者：610027793oLatchup？Latchup的定义Latchup的原理分析产生Latchup的具体原因防止Latchup的方法Latchup的定义Latchup最易产生在易受外部干扰的I/O电路处，也偶尔发生在内部电路Latchup是指cmos晶片中，在电源powerVDD和e799bee5baa6e997aee7ad94e59b9ee7ad9431333433623766地线GND(VSS)之间由于寄生的PNP和NPN双极性BJT相互影响而产生的一低阻抗通路，它的存在会使VDD和GND之间产生大电流随着IC制造工艺的发展，封装密度和集成度越来越高，产生Latchup的可能性会越来越大Latchup产生的过度电流量可能会使芯片产生永久性的破坏，Latchup的防范是ICLayout的最重要措施之一Latchup的原理分析(一)CMOSINV与其寄生的BJT截面图InOutP+sourceN+寄生BJT形成SCR的电路模型P+P+N+N+P+OUTRwellnwellRwellnwellQ1Q2Q1PsubstrateRsubQ2P+substratecontP-epiOUTP+substrateN+sourceLatchup的原理分析(二)Q1为一垂直式PNPBJT，基极(base)是nwell，基极到集电极(collector)的增益可达数百倍；Q2是一侧面式的NPNBJT，基极为Psubstrate，到集电极的增益可达数十倍；Rwell是nwell的寄生电阻；Rsub是substrate电阻。以上四元件构成可控硅（SCR）电路，当无。
什么是倒掺杂？，听说可以防止LATCH UP？ 先植入再阱驱工艺形成的well，表面离子浓度最高，浓度随深度减小。
