请问：碘化亚铜（CuI）和硫化亚铜（Cu2S）的禁带宽度（或者说是能带隙，energy band gap）分别是多少？最好是能有参考文献. Eg(CuI)=3.1ev参考文献：Observation of microwave conductivity in copper iodide films and relay effect in the dye molecules attached to CuI photocathode，Journal of Solid State Chemistry，Volume 178，Issue 10，October 2005，Pages 3010-3013Eg(Cu2S)=1.2eV参考文献：MARSHALRL and MITRAS 1965，J.Appl.Phys.36 3882-3.
直接带隙和间接带隙是怎么回事？ZnO是一种直接带隙半导体材料，为什么说它是直接带隙的？直接带隙会导致它有什么样的特点？直接带隙指的是半导体的导带最小值与价带最大值。
如何确定半导体是直接带隙还是间接带隙的？ 确定半导体是直接带隙还是间接带隙的可以用光致发光光谱。光效率很大的话差不多就是直接带隙，发光效率低的话就是间接带隙。直接带隙材料吸收光谱应该能比较明显地区分出本征吸收带和吸收边，变化相对较缓，而间接带隙材料比较陡峭。间接带隙半导体材料（如Si、Ge）导带最小值（导带底）和满带最大值在k空间中不同位置。形成半满能带不只需要吸收能量，还要改变动量。电子在k状态时的动量是（h/2pi）k，k不同，动量就不同，从一个状态到另一个必须改变动量。与之相对的直接带隙半导体则是电子在跃迁至导带时不需要改变动量。扩展资料：光致发光过程包括荧光发光和磷光发光。通常用于半导体检测和表征的光致发光光谱指的是光致荧光发光。光致发光特点：1、光致发光优点设备简单，无破坏性，对样品尺寸无严格要求；分辨率高，可做薄层和微区分析。2、光致发光缺点通常只能做定性分析，而不作定量分析；如果做低温测试，需要液氦降温，条件比较苛刻；不能反映出非辐射复合的深能级缺陷中心。参考资料来源：-光致发光光谱
